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JCS9N50CT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: JCS9N50CT-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS9N50CT-VB

JCS9N50CT-VB概述

    JCS9N50CT-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    JCS9N50CT-VB 是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET)。这种器件的主要功能是在各种电力转换和控制应用中充当开关或放大器,广泛应用于电源管理、电机驱动和照明系统等领域。其紧凑的TO-220AB封装使得它易于集成到现有的电路设计中。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 500 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.660 | - | Ω |
    | 栅极总电荷 | Qg | - | 81 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 20 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 36 | - | nC |
    | 漏源最大脉冲电流 | IDM | 50 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 560 | - | - | mJ |
    | 雪崩电流 | IAR | 13 | - | - | A |
    | 反复雪崩能量 | EAR | - | 25 | - | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 250 | - | W |

    产品特点和优势


    1. 低栅电荷:降低驱动要求,简化驱动电路设计。
    2. 增强耐用性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐久性。
    3. 全面表征:完全表征的电容和雪崩电压。
    4. RoHS合规:符合欧盟RoHS指令。

    应用案例和使用建议


    JCS9N50CT-VB MOSFET通常用于电源管理和电机控制应用。在实际应用中,建议考虑散热设计以避免过热。对于高功率应用,可以采用较大的散热器或散热片来改善散热效果。此外,在电路设计时,应确保栅极驱动信号能够提供足够的电流以快速开关器件。

    兼容性和支持


    该器件与标准TO-220AB封装兼容,易于与其他电子元件集成。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,有助于解决用户在使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:器件在高温下的表现如何?
    答:在150℃的工作温度范围内,器件具有良好的性能稳定性和可靠性。但在更高温度下,需要采取额外的散热措施。
    2. 问:如何减少开关损耗?
    答:通过优化驱动电路,减小栅极电荷(Qg)和有效输出电容(Coss eff),可以显著降低开关损耗。
    3. 问:如果出现过压情况怎么办?
    答:当出现过压情况时,可以通过增加外部保护电路来防止器件损坏。具体方法包括使用瞬态电压抑制器(TVS)或其他类型的过压保护器件。

    总结和推荐


    总体而言,JCS9N50CT-VB是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力转换和控制应用。其出色的耐温性和优化的栅电荷特性使其成为电源管理和电机控制的理想选择。我们强烈推荐在相关应用中使用该器件,以提高系统的效率和可靠性。
    通过上述详细的介绍和技术参数分析,可以看出JCS9N50CT-VB不仅在技术上表现出色,而且在实际应用中有广泛的应用前景。希望这份技术手册能够为用户提供有价值的参考信息。

JCS9N50CT-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Id-连续漏极电流 13A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS9N50CT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS9N50CT-VB数据手册

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JCS9N50CT-VB封装设计

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