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K2512-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K2512-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2512-VB

K2512-VB概述

    K2512-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2512-VB 是一种由 VBsemi 生产的 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于多种电子设备和系统,特别是在需要高可靠性和稳定性的应用场景中表现出色。K2512-VB 具备优异的耐热性和卓越的电流处理能力,是现代电子设计的理想选择。

    2. 技术参数


    K2512-VB 的主要技术参数如下:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 静态漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 门阈电压 | VGS(th) | 1 | 3 | - | V |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | - | - | 50 | µA |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | 0.011 | 0.013 | 0.018 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 420 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | 570 | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 325 | - | - | pF |
    | 总门电荷 | Qg | 4 | - | 7 | nC |
    | 门-源电荷 | Qgs | - | - | 10 | nC |
    | 转换延迟时间 | d(on) | - | - | 20 | ns |
    | 增量上升时间 | trise | - | - | 25 | ns |
    | 转换关断时间 | d(off) | 35 | - | 50 | ns |

    3. 产品特点和优势


    K2512-VB 具有以下显著特点和优势:
    - 高耐温性能:可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内工作,确保了其在极端条件下的稳定性。
    - 高性能 MOSFET:采用 TrenchFET® 技术,提供更优的电气性能和更高的可靠性。
    - 快速开关速度:具有低栅极电荷和高效的总电荷,确保了快速的开关性能。
    - 低导通电阻:在不同工作温度下均保持较低的导通电阻,降低了能耗和发热量。

    4. 应用案例和使用建议


    K2512-VB 广泛应用于多种电子设备,如直流-直流转换器、电源管理模块和电机驱动器等。为了最大化其性能,建议遵循以下使用建议:
    - 合适的散热措施:确保良好的散热设计,避免过热影响性能。
    - 适当的工作电压范围:保持 VGS 在 ±20V 内,以防止损坏。
    - 合理布局:电路设计时,考虑信号完整性,避免寄生电容对性能的影响。

    5. 兼容性和支持


    K2512-VB 与市面上主流的 TO-220AB 封装兼容,便于安装和替换。VBsemi 提供详细的技术文档和在线支持,帮助用户解决可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    - 问题:MOSFET 发热严重
    - 解决方案:检查散热设计,确保有足够的散热措施。
    - 问题:开关速度慢
    - 解决方案:检查电路设计,确保适当的门电荷和总电荷配置。
    - 问题:导通电阻异常
    - 解决方案:检查工作温度,确保在规定的温度范围内运行。

    7. 总结和推荐


    K2512-VB N-Channel 60-V MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具有高耐温性能、快速开关能力和低导通电阻等特点。对于需要在极端条件下工作的电子设备,K2512-VB 是一个理想的选择。我们强烈推荐此产品用于各种高要求的应用场景。

K2512-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2512-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2512-VB数据手册

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K2512-VB封装设计

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