处理中...

首页  >  产品百科  >  NDP7051L-VB

NDP7051L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: NDP7051L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDP7051L-VB

NDP7051L-VB概述

    NDP7051L N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDP7051L 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 MOSFET。它具有高性能和高可靠性,适用于多种电子设备和系统。这款 MOSFET 采用 TO-220AB 封装形式,非常适合在高压环境中工作,主要应用于开关电源、电机驱动、通信设备等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 175 °C): 60 A(TC = 25 °C),50 A(TC = 100 °C)
    - 单次雪崩能量 (Duty Cycle ≤ 1%): 125 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C): 136 W
    - 最大热阻:
    - 结至环境 (t ≤ 10 s): 15°C/W
    - 稳态: 40°C/W
    - 结至外壳: 0.85°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60 V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1 V 至 3 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 60 V)
    - 开态漏极电流 (ID(on)): 60 A (VDS = 5 V)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 4200 pF
    - 输出电容 (Coss): 570 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 325 pF
    - 总栅电荷 (Qg): 47 nC
    - 通断延迟时间 (td(on), td(off)): 10 ns 至 50 ns
    - 上升时间 (tr): 15 ns 至 25 ns
    - 下降时间 (tf): 20 ns 至 30 ns

    产品特点和优势


    NDP7051L 具有以下显著特点和优势:
    - 高可靠性:最高工作温度可达 175°C,确保在恶劣环境下仍能正常工作。
    - 快速开关:优秀的动态参数确保快速响应和低损耗。
    - 坚固耐用:绝对最大额定值表明该 MOSFET 能够承受极端条件下的压力。
    - 高效能:低导通电阻 (RDS(on)) 和良好的电容特性使其成为高性能开关的理想选择。

    应用案例和使用建议


    NDP7051L 广泛应用于各种高压电子设备,如开关电源、电机驱动和通信设备。以下是一些使用建议:
    - 开关电源:选择合适的散热器以提高器件的散热效率,延长使用寿命。
    - 电机驱动:建议配合合适的驱动电路以减少开关损耗,提高系统效率。
    - 通信设备:考虑使用屏蔽封装以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    NDP7051L 与其他常见的 TO-220AB 封装产品兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和售后保障,确保客户在使用过程中得到最佳的支持和服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致过热。
    - 解决办法: 使用合适的散热器并优化 PCB 设计以提高散热效率。

    - 问题: 开关损耗高。
    - 解决办法: 优化电路设计,选择更低的栅电荷 MOSFET,减少驱动损耗。

    总结和推荐


    NDP7051L 在高压应用中表现出色,具备高可靠性、快速开关特性和低损耗等优势。这些特性使其成为多种应用场景的理想选择。建议在设计开关电源、电机驱动和通信设备时优先考虑使用 NDP7051L。总体来说,这是一款值得推荐的高性能 MOSFET 产品。

NDP7051L-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 60A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NDP7051L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDP7051L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDP7051L-VB NDP7051L-VB数据手册

NDP7051L-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504