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J600-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: J600-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J600-Z-E1-AZ-VB

J600-Z-E1-AZ-VB概述


    产品简介


    本产品为P-Channel 60 V MOSFET,属于沟槽型功率MOSFET,主要用于高侧开关及LCD显示器中的直流转换。其核心优势在于能够承受高电压和电流,适合应用于需要高性能和高稳定性的电路设计中。此外,产品符合RoHS和无卤素要求,确保环保安全。

    技术参数


    - 漏源击穿电压(VDS):60 V
    - 最大漏极电流(TJ = 150 °C):-100 A
    - 脉冲重复雪崩能量(EAS):24.2 mJ
    - 功率耗散(TC = 25 °C):38.5 W
    - 绝对最大温度范围(TJ, Tstg):-55°C至150°C
    - 最大栅极漏电流(IGSS):±100 nA

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100%UIS测试,确保每颗芯片都能承受高压冲击。
    2. 高效能:低导通电阻(RDS(on)),降低功率损耗,提高效率。
    3. 绿色环保:符合RoHS标准,无卤素,对环境友好。
    4. 温度适应性强:宽广的工作温度范围,适合各种恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:此MOSFET常用于高侧开关和全桥转换器,例如LCD显示器中的直流转换。它还适用于汽车和工业控制系统的电源管理。
    - 使用建议:
    - 在高侧开关应用中,注意确保器件的栅极电压不超出限定范围,避免损坏。
    - 在进行热设计时,考虑到其热阻抗,选择合适的散热方案。
    - 高频应用中,应注意输入、输出和转移电容的影响,以优化整体性能。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准的TO-252封装兼容,适用于大部分通用电路板。厂商提供详细的技术支持文档和售后服务,确保客户可以顺利使用产品并解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品出现过热现象怎么办?
    - 答:确保散热片尺寸合适,必要时增加散热风扇。同时检查电路设计是否合理,避免负载过大导致发热。

    2. 问:如何测量栅极漏电流?
    - 答:使用高精度万用表,在规定的电压范围内进行测量。如果发现异常,需检查器件是否损坏。

    总结和推荐


    该P-Channel 60 V MOSFET凭借其高可靠性、高效能和环保特性,在多种应用场景中表现出色。对于需要高电压和大电流的应用场合,它是一个理想的选择。强烈推荐在高侧开关和LCD显示器等电路中使用此产品。

J600-Z-E1-AZ-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 22A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@10V,57mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J600-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J600-Z-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J600-Z-E1-AZ-VB J600-Z-E1-AZ-VB数据手册

J600-Z-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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型号 价格(含增值税)
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