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UT100N03-Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT100N03-Q-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT100N03-Q-VB

UT100N03-Q-VB概述


    产品简介


    UT100N03-Q 是一款高性能的N沟道增强型30V(漏源)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TrenchFET®技术制造。其设计旨在满足现代电子系统中高效能需求,广泛应用于服务器、OR-ing电路及直流/直流转换器等领域。此产品符合RoHS指令2011/65/EU标准,体现了环保与可靠性并重的设计理念。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ=175°C)| ID | - | 120 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 64.8 | - | V |
    | 静态漏源导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.003 | - | Ω |
    | 动态输入电容 | Ciss | - | 3100 | - | pF |
    | 最大功耗 | PD | - | 250 | - | W |

    产品特点和优势


    UT100N03-Q 的核心亮点在于其先进的TrenchFET®技术,显著降低了导通电阻和开关损耗。同时,其100%的Rg和UIS测试确保了可靠性和耐用性。此外,它具备良好的热管理和低噪声性能,特别适合高密度、高温工作环境下的应用。这些特点使其成为服务器、电源管理和其他高性能电子系统的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器电源模块:UT100N03-Q 在高效率电源设计中表现出色,尤其适用于服务器中的降压转换器,提供快速响应和高效能。
    2. 直流/直流转换器:由于其出色的动态特性,非常适合用于DC/DC转换器中的关键驱动任务。
    使用建议
    - 确保在设计时充分考虑散热问题,可结合铝制散热片以降低热阻。
    - 在实际电路布局中,尽量缩短引脚之间的连接长度,减少寄生电感和电容的影响。
    - 调整栅极驱动电阻Rg,根据具体应用需求优化开关速度与功耗。

    兼容性和支持


    UT100N03-Q 采用标准TO-220AB封装,可轻松适配现有设计。厂商提供详细的技术文档和技术支持,包括设计指南和故障排除手册。此外,客户可以通过服务热线400-655-8788咨询相关技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度过慢 | 调整栅极驱动电阻至较低值 |
    | 温度过高 | 添加外部散热装置或优化散热路径 |
    | 栅极击穿 | 确保栅极-源极电压不超过额定值 |

    总结和推荐


    综上所述,UT100N03-Q 是一款具有高性价比和广泛应用潜力的功率MOSFET。凭借其先进的TrenchFET®技术、卓越的热性能和广泛的应用范围,该产品无疑是服务器、直流/直流转换器和OR-ing电路的理想选择。对于需要高效能和高可靠性的应用场合,强烈推荐使用UT100N03-Q。
    联系信息:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:www.VBsemi.com

UT100N03-Q-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT100N03-Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT100N03-Q-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT100N03-Q-VB UT100N03-Q-VB数据手册

UT100N03-Q-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
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型号 价格(含增值税)
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