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NP84N055MHE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: NP84N055MHE-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP84N055MHE-VB

NP84N055MHE-VB概述

    NP84N055MHE N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP84N055MHE 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 60V (D-S) MOSFET,适用于多种电子设备和电路中。该器件采用 TO-220AB 封装,具备出色的热性能和可靠性,适用于各种高温工作环境。

    技术参数


    NP84N055MHE 的技术参数如下:
    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):60 V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):最大值 250 µA (TJ=175°C)
    - 源漏二极管反向恢复时间(trr):45-100 ns (IF=20 A)
    - 电流参数:
    - 连续漏电流(ID):120 A (TC=25°C),90 A (TC=100°C)
    - 脉冲漏电流(IDM):350 A
    - 温度参数:
    - 最高结温(TJ):175°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55 至 175°C
    - 电阻参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):5 mΩ (VGS=10V)
    - 电容参数:
    - 输入电容(Ciss):6800 pF
    - 输出电容(Coss):570 pF
    - 反向传输电容(Crss):325 pF

    产品特点和优势


    - 高温工作能力:该器件能够在高达 175°C 的结温下正常工作,适用于高温环境下的应用。
    - 高性能 MOSFET:采用 TrenchFET® 技术,具备低导通电阻和快速开关特性。
    - 可靠性和耐用性:具有出色的耐用性,能够在极端条件下长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    NP84N055MHE 在各种电力转换、电机控制和电源管理应用中表现出色。例如,在电源适配器中,它能够有效地处理高电流并保持高效能。使用时,建议注意散热设计以保证器件长期稳定运行。

    兼容性和支持


    NP84N055MHE 与其他标准的 TO-220AB 封装器件具有良好的兼容性,方便集成到现有电路中。VBsemi 提供详细的技术支持和售后服务,确保用户可以顺利进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高电流应用中的热管理
    解决方案:使用散热片或其他冷却措施,确保在高电流应用中不会过热。
    - 问题:器件损坏
    解决方案:避免超过绝对最大额定值的操作条件,严格按照数据手册的要求进行设计和操作。

    总结和推荐


    NP84N055MHE 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,适合于各种高电流和高温工作环境的应用。其出色的工作特性和稳定性使其在市场上具有很高的竞争力。强烈推荐在需要高可靠性、高性能的场合使用。
    如有任何疑问,欢迎拨打服务热线:400-655-8788,获得专业的技术支持。

NP84N055MHE-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 120A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NP84N055MHE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP84N055MHE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP84N055MHE-VB NP84N055MHE-VB数据手册

NP84N055MHE-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
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