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H06N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: H06N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H06N60F-VB

H06N60F-VB概述

    H06N60F Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    H06N60F 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),它被设计用于各种高效率的电力转换应用。这种器件具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),可以显著降低开关损耗和传导损耗。H06N60F 主要应用于服务器、电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)等领域。此外,它也适用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯球泡照明系统中的电源转换。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):650V
    - 最大连续漏极电流(ID):250A @ TJ = 150°C
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为1Ω @ VGS = 10V, ID = 4A
    - 栅极电荷(Qg):最大值为32nC
    - 输入电容(Ciss):典型值为1100pF @ VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz
    - 反向恢复时间(trr):最大值为190ns @ TJ = 25°C, IF = IS = 4A, dI/dt = 100A/μs, VR = 400V
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):97mJ
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):H06N60F 的低导通电阻使得它在高电流应用中能够提供更高效的功率传输,从而降低功耗。
    - 低Qg:较低的栅极电荷意味着更低的开关损耗,适合高频应用。
    - 低Ciss:输入电容较低有助于提高系统的开关速度和整体效率。
    - 强抗浪涌能力:最高能承受650V的电压和重复脉冲,适用于严苛的工作环境。
    - 优秀的热特性:具有良好的热稳定性,能够在宽广的工作温度范围内保持稳定运行。

    应用案例和使用建议


    H06N60F 在各类电源系统中有广泛应用。例如,在服务器电源供应系统中,它可用于高压侧开关电路,提供高效的能量转换。在LED照明系统中,它能有效控制输出电压,确保稳定高效的电源供给。为了获得最佳性能,建议用户根据实际需求调整栅极驱动电路的配置,以确保快速可靠的开关控制。

    兼容性和支持


    H06N60F 具有良好的兼容性,可与多种标准驱动电路和控制器配合使用。此外,制造商还提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户更好地理解和应用这款产品。对于用户遇到的问题,可以通过服务热线400-655-8788获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品过热
    - 解决办法:检查散热措施是否足够,必要时增加散热片或改进散热方式。
    2. 问题:开关损耗较高
    - 解决办法:调整驱动电路,降低栅极电荷,或选择更合适的驱动频率。
    3. 问题:反向恢复电流过大
    - 解决办法:更换适配的驱动电路,以降低dI/dt,减少反向恢复期间的应力。

    总结和推荐


    H06N60F Power MOSFET 是一款高性能的电力转换器件,适用于各种高效率的应用场景。其低导通电阻、低栅极电荷和优良的热特性使其在市场上具有很强的竞争力。如果您需要一款高效、可靠的电力转换解决方案,H06N60F 绝对是理想的选择。建议用户结合实际应用场景,充分利用其各项技术优势,以实现最佳的系统性能。

H06N60F-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

H06N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H06N60F-VB数据手册

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H06N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
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型号 价格(含增值税)
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