处理中...

首页  >  产品百科  >  K56E12N1-VB

K56E12N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K56E12N1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K56E12N1-VB

K56E12N1-VB概述

    雷霆FET™ 功率MOSFET — K56E12N1

    产品简介


    K56E12N1 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于雷霆FET®系列。这款MOSFET 具有高效率、低损耗的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、照明系统等领域。雷霆FET® 系列以其卓越的性能和可靠性在市场中脱颖而出,尤其适合需要高效能转换和长寿命的应用场合。

    技术参数


    K56E12N1 的主要技术参数如下:
    - 最大电压 (VDS):100 V
    - 栅极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):120 A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100 μs):480 A
    - 单次雪崩电流 (IAS):73 A
    - 单次雪崩能量 (EAS):266 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):370 W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55 °C 至 +175 °C
    - 热阻 (RthJA):40 °C/W (PCB安装)
    - 热阻 (RthJC):0.4 K/W (漏极到外壳)

    产品特点和优势


    - 耐高温:最大结温可达175 °C,适用于极端工作环境。
    - 高质量测试:所有产品都经过栅极电阻 (Rg) 和雪崩耐受性 (UIS) 测试,确保高可靠性。
    - 优秀的开关特性:具有较低的门极电荷 (Qg) 和高增益 (gfs),能够在短时间内快速响应。
    - 封装优良:采用TO-220AB封装,方便安装且散热性能好。

    应用案例和使用建议


    K56E12N1 广泛应用于多种电子系统中,如:
    - 开关电源:利用其低导通电阻 (RDS(on)),有效降低功耗。
    - 电机驱动:提供稳定可靠的电流控制,提高系统的整体性能。
    - 照明系统:具备良好的温度适应性,适合各种环境下的应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要特别注意MOSFET的漏极和源极电压 (VDS) 及栅极电压 (VGS),以确保其在安全的工作范围内运行。
    - 为了提高散热效果,建议在PCB上合理布局,采用适当的散热片。

    兼容性和支持


    K56E12N1 具有良好的兼容性,可以与其他常见的电子元件和设备配合使用。台湾VBsemi Electronics 提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用产品的性能并及时解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免过热损坏?
    - 解决方案:合理选择散热片,并确保电路板有足够的通风空间。同时,在使用过程中监测结温,避免超过最高额定温度。
    2. 问题:如何选择合适的驱动电压?
    - 解决方案:根据具体应用场景选择合适的驱动电压。通常,选择10 V的驱动电压可以获得较低的导通电阻,从而提高效率。

    总结和推荐


    K56E12N1 是一款性能卓越、应用广泛的N沟道功率MOSFET。它不仅具备出色的电气特性和可靠性,还拥有广泛的应用场景。无论是开关电源还是电机驱动,K56E12N1 都能提供高效的解决方案。因此,强烈推荐在需要高性能和可靠性的应用场景中使用 K56E12N1。

K56E12N1-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,19mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K56E12N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K56E12N1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K56E12N1-VB K56E12N1-VB数据手册

K56E12N1-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.1228
100+ ¥ 5.6693
500+ ¥ 5.4425
1000+ ¥ 5.2158
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 61.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504