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2SK3467-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
供应商型号: 2SK3467-ZK-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3467-ZK-VB

2SK3467-ZK-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高效能的功率MOSFET,广泛应用于多种领域。该产品采用先进的TrenchFET®技术,能够提供出色的电气特性和低导通电阻。主要用于服务器、电源管理、负载均衡(OR-ing)和其他高电流应用场合。

    技术参数


    以下是N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的关键技术参数:
    - 漏源电压(VDS): 30 V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - 在25 °C时:98 A
    - 在70 °C时:98 A
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在10 V栅极电压下:0.0038 Ω(在28.8 A电流下)
    - 在4.5 V栅极电压下:0.0044 Ω(在27 A电流下)
    - 总栅极电荷(Qg):
    - 在10 V栅极电压下:171-257 nC
    - 在4.5 V栅极电压下:81.5-123 nC
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 300 A
    - 热阻抗(RthJA):
    - 最大值:32 °C/W(< 10 秒)

    产品特点和优势


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET具有以下显著特点和优势:
    1. 先进的TrenchFET®技术:该技术能够提供更低的导通电阻,从而减少功耗。
    2. 全面测试:所有产品均经过Rg和UIS测试,确保产品质量可靠。
    3. 符合RoHS标准:无铅,环保,满足欧盟RoHS指令要求。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET主要应用于服务器、电源管理和负载均衡等领域。例如,在服务器电源设计中,它可以通过降低导通电阻来提高整体效率。在负载均衡系统中,该MOSFET可以有效降低热损耗。
    使用建议:
    - 确保适当的散热设计,以避免过热导致的损坏。
    - 根据具体应用调整栅极驱动电压,以获得最佳性能。
    - 在高电流应用中,确保正确选择合适的PCB布局,以防止过热。

    兼容性和支持


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET适用于多种电路板设计,尤其是那些支持表面贴装技术(SMT)的板。厂商提供了详细的技术支持文档和热管理建议,帮助用户更好地集成到各种系统中。此外,VBsemi公司还提供技术支持热线:400-655-8788,以解答用户的任何疑问。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及对应的解决方案:
    1. 问题:过热
    - 解决方法:增加散热片或改进散热设计。
    2. 问题:低效
    - 解决方法:检查栅极驱动电压设置,调整至推荐值。
    3. 问题:导通电阻过高
    - 解决方法:确认工作温度范围,并适当调整栅极电压。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一款高性能、可靠性高的电子元器件,适合用于服务器、电源管理和负载均衡等应用。其先进的TrenchFET技术、全面的测试保证了其卓越的电气性能。通过适当的散热设计和合理的应用方案,该产品能够在众多场合中发挥重要作用。强烈推荐给需要高效、可靠的MOSFET解决方案的工程师和设计师。

2SK3467-ZK-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 170A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2SK3467-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3467-ZK-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3467-ZK-VB 2SK3467-ZK-VB数据手册

2SK3467-ZK-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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