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9920GEO-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.6A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: 9920GEO-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9920GEO-VB

9920GEO-VB概述


    产品简介


    本产品是一款双通道N沟道30V(D-S)MOSFET,型号为9920GEO。该产品采用TrenchFET®技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于多种电子应用场合,例如电源管理、电池充电、负载开关及电机控制等。其独特的技术使其在市场上具有很高的竞争力和可靠性。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | — | — | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 3.0 | — | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | — | 0.012 (VGS=10V) | 0.019 (VGS=4.5V) | Ω |
    | 连续漏极电流 | ID | — | 8.6 (TA=25°C) | 7.2 (TJ=150°C) | A |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | — | 3.6 | — | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | — | 2.2 | — | nC |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | — | 1 | — | µA |
    | 转导电导 | gfs | — | 30 | — | S |
    | 输出电压 | VSD | — | 0.71 | 1.2 | V |

    产品特点和优势


    这款MOSFET的主要优势在于其出色的导通电阻(RDS(on)),在不同电压下依然保持极低水平,这使得它能够有效降低功耗并提高电路效率。同时,它还具有良好的热稳定性,在高电流条件下表现优异。此外,其可选的无卤素版本更是符合RoHS标准,适合环保要求较高的应用场景。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于电源管理和电池充电领域。例如,在一个典型的开关电源设计中,它可以作为主开关管来调节输出电压和电流。为了优化其性能,建议在布局时确保良好的散热设计,尤其是在高温环境下运行时。同时,应避免长时间处于最大额定功率状态,以免影响长期可靠性。

    兼容性和支持


    该产品与大多数通用的TSSOP-8封装引脚布局相兼容,易于集成到现有的电路板设计中。制造商提供了详细的技术支持文档,包括电气特性和热管理方面的指导。对于复杂的项目,建议直接联系厂商的技术支持团队以获得更深入的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | : | : |
    | 导通电阻过高 | 确保栅极电压正确设置,必要时增加栅极驱动器的功率。 |
    | 过热保护触发 | 检查散热设计是否足够,并适当降低工作电流。 |
    | 开关速度慢 | 优化栅极驱动电路,增加驱动能力。 |

    总结和推荐


    总体而言,这款9920GEO双通道N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、优秀的电气特性和高可靠性,非常适合用于各种高效率的电源管理系统。建议在选择时考虑具体的应用需求和环境条件,以确保最佳性能。对于需要高度可靠性的应用,强烈推荐使用该产品。

9920GEO-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 8.6A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

9920GEO-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9920GEO-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9920GEO-VB 9920GEO-VB数据手册

9920GEO-VB封装设计

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