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KD2319SRG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: KD2319SRG-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD2319SRG-VB

KD2319SRG-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®技术制造。主要用于便携式计算设备中,包括负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器。它具备出色的性能参数,适用于各种高性能电子设备。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 连续漏电流 (ID):最大值为-5.6A(在25°C时)
    - 脉冲漏电流 (IDM):最大值为-18A(100μs脉冲宽度)
    - 通态漏源电阻 (RDS(on)):在VGS=-10V时为0.046Ω,在VGS=-6V时为0.049Ω
    - 栅源电容 (Ciss):1295pF
    - 输入电荷 (Qg):在VDS=-15V、VGS=-10V、ID=-5.4A时为24nC
    - 最大功率耗散 (PD):在25°C时为2.5W
    - 结壳热阻 (RthJA):最大值为100°C/W
    - 结到脚(漏极)稳态热阻 (RthJF):最大值为50°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:低通态电阻(RDS(on)),使得在导通状态下损耗最小化。
    - 快速响应:具有较快的开关速度和较短的延迟时间,适合高速应用。
    - 可靠性:100%栅极电阻测试,确保产品的可靠性和一致性。
    - 兼容性:支持多种应用场景,包括移动计算、负载开关等。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:用于便携式计算设备中,可以实现高效能的电源管理。
    - 笔记本适配器开关:能够在高功率输出下保持稳定的电压和电流供应。
    - DC/DC转换器:由于其较低的RDS(on),能够有效地减少能量损失。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,要确保栅极驱动能力足够强,以避免由于栅极电容充放电过慢而导致的开关速度下降。
    - 考虑到较高的功耗,建议在使用过程中进行良好的散热设计,特别是当环境温度较高时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与常见的电路板封装兼容,如SOT-23封装,可直接焊接在电路板上。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,用户可以通过服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最佳的工作电压?
    - 解决方案:根据具体应用场景,一般在-4.5V至-10V之间调整栅源电压,以达到最优性能。
    - 问题:长时间运行是否会降低寿命?
    - 解决方案:建议采用有效的散热措施,确保不超过最大允许温度范围。

    7. 总结和推荐


    这款P-Channel 30V MOSFET凭借其卓越的性能参数和广泛的应用范围,非常适用于需要高效率和可靠性的便携式电子设备。无论是作为负载开关还是笔记本适配器开关,都表现出色。推荐使用该产品,特别是对于追求高性能和高可靠性的项目。

KD2319SRG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5.6A
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD2319SRG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD2319SRG-VB数据手册

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KD2319SRG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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