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2SJ266-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 2SJ266-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ266-VB

2SJ266-VB概述

    2SJ266-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SJ266-VB 是一款来自VBsemi的P沟道功率MOSFET,适用于各种负载开关应用。它具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,使其成为电源管理和电机控制应用的理想选择。2SJ266-VB采用D2PAK封装,能够在紧凑的空间内实现高效能输出。

    技术参数


    以下是2SJ266-VB的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):最大值为60V。
    - 栅源电压 (VGS):绝对最大值为±20V。
    - 连续漏电流 (ID):在环境温度为25°C时可达-30A,在环境温度为100°C时为-20A。
    - 脉冲漏电流 (IDM):最大值为-90A。
    - 最大功耗 (PD):在环境温度为25°C时为60W。
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C至175°C。
    - 门阈电压 (VGS(th)):典型值为-1.0V至-3.0V。
    - 零栅压漏电流 (IDSS):在TJ = 125°C时为-1μA,在TJ = 175°C时为-50μA。
    - 导通电阻 (rDS(on)):在VGS = -10V,ID = -5A时为0.110Ω(在125°C时为0.250Ω)。
    - 输入电容 (Ciss):在VDS = -25V,VGS = 0V时为1000pF。
    - 反向转移电容 (Crss):在VDS = -30V,VGS = -10V时为110pF。
    - 总栅电荷 (Qg):在VDS = -30V,VGS = -10V时为12.5nC。

    产品特点和优势


    2SJ266-VB 的主要特点是:
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,确保更高的效率和更低的导通电阻。
    - 100% UIS测试:通过100%的UIS测试,保证其在极端条件下的可靠性和稳定性。
    - 宽泛的工作温度范围:从-55°C到175°C,适应各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    2SJ266-VB 主要应用于负载开关和电源管理电路中。例如,在电机驱动器或DC-DC转换器中作为开关元件使用。建议用户根据具体应用需求选择合适的电路布局和散热措施以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    2SJ266-VB 可以轻松集成到现有的设计中,与其他标准D2PAK封装的元件兼容。VBsemi提供了详细的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利进行开发和调试。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及相应的解决方案:
    - Q:如何确定2SJ266-VB的工作温度?
    A: 根据其工作温度范围-55°C至175°C,选择适当的散热措施以保持其在正常工作范围内。
    - Q:如果发现导通电阻较高怎么办?
    A: 检查电路布局是否合理,确保良好的热管理和适当的工作电压。

    总结和推荐


    总体而言,2SJ266-VB是一款高性能的P沟道功率MOSFET,具备出色的耐温性和低导通电阻。对于需要高效能负载开关的应用来说是一个理想的选择。建议用户详细了解其技术参数并在实际应用中注意散热管理,以充分发挥其优势。强烈推荐在负载开关和电源管理领域使用此产品。

2SJ266-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ266-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ266-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ266-VB 2SJ266-VB数据手册

2SJ266-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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