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FDP15N40-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: FDP15N40-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDP15N40-VB

FDP15N40-VB概述

    FDP15N40-VB N-Channel 650 V Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDP15N40-VB 是一款 N-Channel 650V 超级结场效应晶体管(Super Junction MOSFET),采用 TO-220AB 封装。该器件主要应用于电源转换、工业焊接、照明控制及可再生能源等领域。FDP15N40-VB 在设计上具有低开关损耗、高可靠性等特点,特别适用于高性能电源管理解决方案。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 门极-源极漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 有效输出电容,能量相关 | Co(er) | - | 84 | - | nF |
    | 有效输出电容,时间相关 | Co(tr) | - | 293 | - | nF |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 71 | 106 | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | - | 14 | - | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | - | 33 | - | nC |

    产品特点和优势


    - 低开关损耗:由于反向恢复时间和电荷量减少,FDP15N40-VB 的开关损耗显著降低,适合高频应用。
    - 超低门极电荷:Qg 仅为 71nC,这减少了驱动电路的功率损耗,提高了整体效率。
    - 宽广的应用范围:从电信电源到太阳能逆变器,FDP15N40-VB 都能表现出卓越的性能,特别是在需要高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    - 电信电源:FDP15N40-VB 可用于服务器和通信设备的电源管理,确保稳定的电力供应。
    - 工业焊接:在焊接应用中,FDP15N40-VB 可提供高效的能量转换,减少热损失。
    - 太阳能逆变器:作为太阳能发电系统的转换器,FDP15N40-VB 可以提高系统整体效率,延长使用寿命。
    使用建议:
    - 散热管理:在高功率应用中,合理的设计散热片可以有效降低器件温度,避免过热。
    - 电路布局:为了减少寄生电感和泄漏电感的影响,建议采用短路径布局,增加接地平面。

    兼容性和支持


    FDP15N40-VB 支持多种电源管理方案,并且与市面上常见的控制器兼容。制造商提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性和热阻抗数据。

    常见问题与解决方案


    - Q:FDP15N40-VB 的最高连续工作温度是多少?
    - A: FDP15N40-VB 的最大工作温度为 150°C。超过此温度会导致器件损坏,需要采取适当的散热措施。

    - Q:如何确定 FDP15N40-VB 是否适用于特定应用?
    - A: 客户需根据具体应用的要求验证产品的电气特性,如 RDS(on) 和 Qg 等参数,确保其符合应用需求。

    总结和推荐


    FDP15N40-VB 是一款专为高要求应用设计的高性能 N-Channel 650V MOSFET。它具备低开关损耗、高可靠性等特点,在电源管理和工业控制领域表现优异。鉴于其广泛的适用性和高性价比,强烈推荐在各种高要求应用中使用。
    联系我们了解更多关于 FDP15N40-VB 的信息:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com。
    以上是对 FDP15N40-VB N-Channel 650V Super Junction MOSFET 的全面技术手册解读,希望对您的产品选择和应用有所帮助。

FDP15N40-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDP15N40-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDP15N40-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDP15N40-VB FDP15N40-VB数据手册

FDP15N40-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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