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K1299-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K1299-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1299-VB

K1299-VB概述

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一种高效能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为需要高可靠性和优良热管理的应用而设计。此款MOSFET 具备高击穿电压、低导通电阻及卓越的耐高温能力,适用于多种电源管理和控制电路。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 100 V |
    | 最大栅源电压 (VGS) | ± 20 V |
    | 连续漏极电流 (TJ = 175 °C) | 13 A (TC = 25 °C)
    10 A (TC = 125 °C) |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 18 mJ (L = 0.1 mH) |
    | 最大耗散功率 (TC = 25 °C) | 96 W |
    | 热阻抗 (RthJA) | 15 °C/W (瞬态)
    40 °C/W (稳态) |
    | 环境温度范围 (TJ, Tstg) | -55°C 至 175°C |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽工艺,实现低导通电阻和高效率。
    - PWM 优化:特别适合于脉宽调制 (PWM) 应用,提升整体系统效率。
    - 高耐温性能:最高可达175°C,适用于恶劣环境下的稳定运行。
    - 全检测试:100%栅极电阻 (Rg) 测试,确保产品质量。
    - 环保合规:符合欧盟RoHS指令,无铅环保设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 初级侧开关:广泛应用于各类电源转换器,作为初级侧开关,提高系统效率。
    - 电机驱动:适用于电机驱动器,提供可靠的电流控制。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 在高功率应用中,注意监测温度变化,适时调整工作条件以保持最佳性能。

    兼容性和支持


    该产品与多种主流的PCB布局兼容,适用于TO-252封装,可轻松集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线客服,帮助用户解决任何安装或使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致温度过高 | 改进散热设计,增加散热片或风冷装置。 |
    | 工作电流超出额定值 | 检查并降低工作电流,避免超载运行。 |
    | 高频操作下性能下降 | 使用适当的栅极电阻以优化开关速度。 |

    总结和推荐


    总结:
    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 具有出色的高可靠性、高效能和环境适应性,适用于各种工业和消费类电子产品。其卓越的热管理和PWM优化使其成为电源管理应用的理想选择。
    推荐:
    我们强烈推荐此款MOSFET 用于需要高性能和高可靠性的应用场合,特别是在PWM优化的电源转换器和电机驱动系统中。对于寻求高性能、高可靠性的工程师来说,这是一款不可多得的产品。

K1299-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1299-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1299-VB数据手册

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K1299-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
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