处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFR430A-VB

IRFR430A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: IRFR430A-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR430A-VB

IRFR430A-VB概述


    产品简介


    IRFR430A是一款来自VBsemi的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低栅极电荷(Qg),可简化驱动要求。这款MOSFET适用于多种高电流应用,如电源转换、电机驱动和LED驱动等领域。该产品的设计旨在提供优异的耐用性,包括门极、雪崩和动态dV/dt的鲁棒性。此外,它符合RoHS指令,确保环保合规性。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.95 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg (Max)):15 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):3 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):6 nC
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
    - 连续漏极电流 (ID):5 A (TC = 25°C), 4 A (TC = 100°C)
    - 雪崩能量 (EAS):120 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):34 A
    - 热阻抗 (RthJA):未指定
    - 最大结温 (Tj, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 有效输出电容 (Coss eff.):VDS = 0 V 至 520 V

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:这降低了驱动需求,简化了电路设计。
    - 高耐压能力:650 V的漏源电压使其适用于高电压应用。
    - 低导通电阻:0.95 Ω (VGS = 10 V) 的RDS(on)保证了高效能的电流传输。
    - 优秀的雪崩耐受能力:120 mJ 的EAS保证了可靠的工作稳定性。
    - 鲁棒性:提高了门极、雪崩和动态dV/dt的耐受能力,增加了应用可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:IRFR430A常用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等高功率密度场合。它的低RDS(on)特性有助于减少能耗,提高效率。
    使用建议:
    - 在使用过程中需注意散热管理,确保工作温度不超过150°C,以避免过热损坏。
    - 配合合适的驱动电路可以最大化利用其快速开关特性,提高整体系统性能。

    兼容性和支持


    - IRFR430A与标准O-220AB、TO-252 和TO-251封装兼容,便于集成到现有设计中。
    - VBsemi公司提供了详细的技术支持和文档,包括电气特性和封装尺寸等信息,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定正确的驱动电阻?
    - 解答:根据应用需求选择合适的栅极电阻,通常需要通过实验来找到最佳值。对于典型应用,栅极电阻的范围可以从几欧姆到几十欧姆不等。

    - 问题2:如何计算热阻抗 (RthJA)?
    - 解答:可以通过测量或查找制造商提供的数据来确定。如果不确定,最好联系VBsemi的工程师获取更详细的数据。

    总结和推荐


    IRFR430A 是一款出色的N沟道功率MOSFET,以其高性能、高可靠性和环保合规性而著称。它在各种高电流应用中的表现非常出色,特别适合需要高效能转换和严格温度控制的应用场合。如果您正在寻找一款具备高效能和高可靠性的MOSFET,IRFR430A是您的理想选择。强烈推荐使用此产品,尤其适用于开关电源和其他高功率密度应用。

IRFR430A-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR430A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR430A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR430A-VB IRFR430A-VB数据手册

IRFR430A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336