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N3NF06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: N3NF06-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N3NF06-VB

N3NF06-VB概述

    N3NF06 N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N3NF06 是一款 N 沟道 MOSFET,适用于多种电子设备。该产品的主要功能包括低导通电阻(RDS(on)),高工作温度(最高可达 175°C),并符合 RoHS 和无卤素标准。这些特性使其广泛应用于工业控制、电源管理、电动汽车等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压(VDS): 60 V
    - 额定最大功率耗散(PD):
    - TA = 25°C: 3.3 W
    - TA = 70°C: 2.3 W
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(ID):
    - TA = 25°C: 7.0 A
    - TA = 70°C: 6.0 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 11 mJ
    - 热参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):
    - TA ≤ 10s: 36 °C/W
    - 稳态: 75 °C/W
    - 最大结到脚(漏)热阻(RthJF):
    - 稳态: 17 °C/W
    - 电气特性
    - 击穿电压(VDS): 60 V
    - 栅阈值电压(VGS(th)): 1 V 至 3 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS): 1 µA @ 60 V, 0 V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 6.0 A: 0.028 Ω
    - VGS = 10 V, ID = 6.0 A, TJ = 175°C: 0.040 Ω

    3. 产品特点和优势


    N3NF06 的主要特点包括:
    - 高耐热性: 最高结温达 175°C,适用于高温环境。
    - 低导通电阻: 在典型条件下,RDS(on) 仅为 0.028 Ω。
    - 无卤素设计: 符合 IEC 61249-2-21 定义,环保安全。
    - 低栅极电荷: VGS = 10 V 时,总栅极电荷为 18 nC,适合高频应用。
    - 低栅极电阻: VGS = 0.1 V 时,栅极电阻为 0.5 Ω,有助于快速开关。
    这些特性使 N3NF06 在高可靠性要求的应用中具有显著优势。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 工业自动化控制系统
    - 电机驱动电路
    - 开关电源
    - 电池管理系统
    使用建议
    - 在高电流应用中,确保散热措施到位,避免过热。
    - 使用合适的工作电压和电流限制,以防止击穿。
    - 对于频繁开关的应用,选择合适的栅极电阻以减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    N3NF06 尺寸为 SOT-223,可与市场上大多数标准封装兼容。厂商提供详细的技术支持和维护服务,包括但不限于产品咨询、技术培训和售后技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 产品过热
    - 解决方案: 确保良好的散热条件,使用散热片或强制风冷。
    - 问题: 导通电阻增加
    - 解决方案: 检查工作温度,确保不超过额定最大结温。
    - 问题: 高频工作不稳定
    - 解决方案: 优化栅极驱动,减少栅极电荷的影响。

    7. 总结和推荐


    N3NF06 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合高温和高频应用。其低导通电阻和高耐热性使其成为许多电子设备的理想选择。综上所述,强烈推荐使用此产品,特别是在需要高性能和高可靠性的场合。

N3NF06-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,27mΩ@4.5V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N3NF06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N3NF06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N3NF06-VB N3NF06-VB数据手册

N3NF06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3997
100+ ¥ 1.2961
500+ ¥ 1.2442
2500+ ¥ 1.1924
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