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TF5N50FD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: TF5N50FD-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TF5N50FD-VB

TF5N50FD-VB概述

    TF5N50FD N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    TF5N50FD 是一款 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率开关应用设计。它采用 TO-220 Fullpak 封装形式,适合于广泛的工业和电力系统应用。主要功能包括低栅极电荷、高可靠性以及优越的瞬态电压和电流保护能力。这些特性使其成为电机驱动、太阳能逆变器和其他高能效电源转换应用的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):650 V
    - 最大连续漏源电流 (ID):10 V 时,3.8 A;100 °C 时,3.2 A
    - 最大脉冲漏源电流 (IDM):18 A
    - 导通电阻 (RDS(on)):10 V 时,2.5 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):48 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):19 nC
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 最大功率耗散 (PD):25 °C 时,30 W
    - 热阻抗 (RthJA, RthJC):分别为 65 °C/W 和 2.1 °C/W
    - 雪崩能量 (EAS):325 mJ
    - 反向恢复时间 (trr):493 ns 至 739 ns

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):有助于减少驱动需求,简化电路设计。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性:提供更稳定的性能和更高的可靠性。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压电流:确保在各种条件下的稳定性和可靠性。
    4. 符合 RoHS 指令:绿色环保,符合欧盟环保标准。

    应用案例和使用建议


    TF5N50FD 在多种工业和电力应用中表现出色,如电机驱动器、太阳能逆变器和通信电源模块。为了充分利用其优势,建议在设计中注意以下几点:
    - 降低寄生电感:优化 PCB 布局以减少寄生电感的影响,提高系统稳定性。
    - 使用接地平面:有效的接地平面设计可以减少噪声干扰,提升整体性能。
    - 匹配驱动器类型:确保使用的驱动器与 DUT(被测器件)相同,以获得最佳效果。

    兼容性和支持


    TF5N50FD 与标准 TO-220 Fullpak 封装兼容,可以轻松集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够快速上手并解决问题。如果需要进一步的技术支持,可以通过客服热线 400-655-8788 联系 VBsemi 客户支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何优化散热?
    解决方案:确保使用合适的散热器,并保持良好的空气流通,避免温度过高导致器件损坏。

    - 问题:反向恢复时间长怎么办?
    解决方案:优化 PCB 布局,尽量减小寄生电感,以缩短反向恢复时间。

    - 问题:栅极电荷过高怎么办?
    解决方案:检查驱动电路设计,优化栅极电阻和驱动信号频率,以降低栅极电荷。

    总结和推荐


    TF5N50FD N-Channel 650V 功率 MOSFET 非常适合高能效和高可靠性的应用需求。其独特的低栅极电荷和高耐压特性使得它在多种电力转换和电机驱动应用中表现出色。总体来看,这款产品凭借其出色的性能和广泛的应用场景,在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐给寻求高性能功率 MOSFET 的客户。

TF5N50FD-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TF5N50FD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TF5N50FD-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TF5N50FD-VB TF5N50FD-VB数据手册

TF5N50FD-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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