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K1895-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1895-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1895-VB

K1895-VB概述


    产品简介


    K1895-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 是一款专为高电压隔离需求设计的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品以其出色的电气特性和广泛的温度适应能力而著称。主要用于电源转换、逆变器、电机驱动等高可靠性要求的应用场合。

    技术参数


    - 主要电气参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 - 3.0 V
    - 栅源漏电流 \( I{DSS} \): -25 µA
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.027 Ω @ V{GS} = 10 V
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1500 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): -
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): -
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 95 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 27 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 46 nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 连续漏电流 \( ID \): 45 A @ TC = 25 °C
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 220 A
    - 最大功耗 \( PD \): 52 W @ TC = 25 °C
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 65 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 3.1 °C/W
    - 其他参数
    - 高压隔离: 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)
    - 温度范围: -55 至 +175 °C
    - 动态 dV/dt 额定值: 4.5 V/ns
    - 低热阻

    产品特点和优势


    K1895-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 的主要特点如下:
    - 高压隔离: 产品具备高达 2.5 kVRMS 的高压隔离能力,确保了在高电压环境中使用时的安全性。
    - 高可靠性: 在高温环境下也能稳定运行,工作温度范围可达 -55 至 +175 °C。
    - 动态特性: 动态 dV/dt 额定值为 4.5 V/ns,满足高频率开关应用的需求。
    - 低热阻: 通过优化热设计,确保产品在高功率运行时不会过热。
    - 无铅化: 产品符合无铅标准,环保且安全。

    应用案例和使用建议


    K1895-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 广泛应用于各种高可靠性要求的电路中。例如:
    - 电源转换器: 在高频开关电源中,能够有效地减少开关损耗,提高效率。
    - 电机驱动: 适用于电动工具、工业自动化等领域,具有高可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 散热设计: 设计良好的散热系统以确保产品在高负载下保持良好的性能。
    - 驱动电路: 确保驱动电路的设计能够满足 MOSFET 的开关时间要求,从而减少开关损耗。
    - 保护措施: 添加必要的保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS),以防止外部干扰对 MOSFET 的损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K1895-VB 与主流电子元器件和设备具有良好的兼容性,可用于多种应用场合。
    - 技术支持: 台湾VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,帮助客户快速解决问题。客户服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下工作不稳定。
    - 解决办法: 加强散热设计,确保 MOSFET 处于允许的工作温度范围内。
    - 问题2: 开关损耗过高。
    - 解决办法: 优化驱动电路设计,降低开关损耗。
    - 问题3: 功耗过大。
    - 解决办法: 使用散热良好的散热片,确保良好的热传导。

    总结和推荐


    K1895-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 具备出色的高压隔离、高可靠性及广泛的工作温度范围,非常适合于电源转换、电机驱动等高可靠性要求的应用场合。通过合理的设计和使用建议,可以最大限度地发挥其性能。综上所述,我们强烈推荐使用该产品。

K1895-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 45A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1895-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1895-VB数据手册

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K1895-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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