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07N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: 07N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 07N60-VB

07N60-VB概述


    产品简介


    07N60-VB 是一款N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET),广泛应用于各种电力转换和控制场合。这款器件以其低栅极电荷和高可靠性设计,成为开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)及高速功率开关的理想选择。其应用涵盖了各类电源拓扑结构,如有源钳位前馈和主开关应用。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 600 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | - | 0.780 | Ω |
    | 门极输入电容 | Ciss | - | 1400 | - | pF |
    | 门极充电电荷 | Qg | - | - | 49 | nC |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 170 | W |
    | 峰值二极管恢复 dV/dt | dV/dt | - | 5.0 | - | V/ns |
    | 连续漏极电流 | ID | - | - | 8.0 | A |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):这减少了驱动要求,从而简化了电路设计。
    2. 改进的栅极耐久性:增强了对栅极、雪崩和动态dV/dt的耐受性。
    3. 全面表征:电容、雪崩电压和电流已进行全面测试和表征。
    4. 高可靠性:适用于多种应用环境,具有出色的长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 开关电源(SMPS):用于电力转换和调节,保证高效的能量转换。
    - 不间断电源(UPS):确保供电系统的持续性和稳定性。
    - 其他电源拓扑:如有源钳位前馈和主开关。
    使用建议
    - 在设计电源系统时,考虑到该MOSFET在高频率下的稳定性和可靠性,建议进行充分的热设计,以避免因过热导致性能下降。
    - 考虑到其高电流处理能力,在选择外围元件时应注意其最大电流限制,避免过载导致损坏。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准电源模块和设备高度兼容,适用于各类电源设计。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障诊断和维修等。

    常见问题与解决方案


    问题1: 开关过程中发热严重。
    解决方案: 确保良好的散热措施,如增加散热片,保持良好的空气流通。
    问题2: 高频操作下性能不稳定。
    解决方案: 使用适当的栅极驱动电路,确保快速而准确的开关过程。

    总结和推荐


    总体而言,07N60-VB是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET。其低栅极电荷和优良的电气特性使其在多种电力转换和控制场合表现出色。考虑到其卓越的性能和广泛应用范围,强烈推荐使用这款产品,尤其是在需要高效率和可靠性的场合。

07N60-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

07N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

07N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 07N60-VB 07N60-VB数据手册

07N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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