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VS6016HS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: VS6016HS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VS6016HS-VB

VS6016HS-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V MOSFET(型号:VS6016HS)
    本产品是一款N沟道MOSFET,特别适用于低侧同步整流操作。采用TrenchFET®技术制造,能够在严苛的工作环境下保持出色的性能表现。这款MOSFET符合无卤素标准,适用于多种应用场景,如CCFL逆变器等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在TC = 25°C时:10.5A
    - 在TC = 70°C时:4.2A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):25A
    - 最大漏极-源极二极管电流(IS):
    - 在TC = 25°C时:4.2A
    - 在TA = 25°C时:2.1A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):11.2mJ
    - 最大功率耗散(PD):
    - 在TC = 25°C时:5W
    - 在TC = 70°C时:3.2W
    - 热阻(RthJA):最大值为50°C/W,典型值为38°C/W
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0至3.0V
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):1µA
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):25A
    - 导通状态电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = 10V时:0.012Ω
    - 在VGS = 4.5V时:0.015Ω
    - 栅极电荷(Qg):
    - 在VDS = 30V时:10.5至16nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):3.5nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):4.2nC
    - 输入电容(Ciss):1100pF
    - 输出电容(Coss):90pF
    - 反向传输电容(Crss):55pF
    - 栅极电阻(Rg):3.3至5Ω

    产品特点和优势


    1. 低侧同步整流优化:设计上专门针对低侧同步整流操作进行了优化,有效提高电路的整体效率。
    2. 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保产品的高可靠性和稳定性。
    3. 广泛的工作温度范围:-55°C至150°C,适用于各种严苛环境。
    4. 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21定义,环保安全。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - CCFL逆变器:这款MOSFET在CCFL逆变器中表现出色,能够提供稳定的电流控制。

    使用建议
    - 在进行设计时,应考虑散热措施,特别是考虑到高温下性能会有所下降。例如,使用额外的散热片或风扇以保持良好的热管理。
    - 确保电路设计中使用适当的栅极电阻(Rg),以避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VS6016HS与其他表面贴装的8引脚封装的MOSFET在电气特性方面具有较好的兼容性。
    - 支持:VBsemi提供了详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术咨询。如有需要,客户可以联系他们的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的Rg值?
    - 解决方法:根据具体的应用要求选择适当的Rg值。一般情况下,Rg的选取应该考虑到降低开关损耗和防止过高的栅极驱动电流之间的平衡。
    2. 问题:在高温环境中,MOSFET的性能如何?
    - 解决方法:高温环境下,可以通过增加散热措施或减少负载来保证MOSFET的正常工作。
    3. 问题:如何判断是否达到热保护?
    - 解决方法:通过监测MOSFET的温度,一旦超过设定的阈值,应立即采取措施降温,如增大散热片或减小负载。

    总结和推荐


    总体而言,VS6016HS是一款功能强大且性能稳定的N沟道MOSFET,尤其适用于CCFL逆变器等应用场合。其在宽广的工作温度范围内表现出色,同时符合无卤素环保标准。推荐在需要高可靠性和良好散热管理的设计中使用此款产品。

VS6016HS-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VS6016HS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VS6016HS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VS6016HS-VB VS6016HS-VB数据手册

VS6016HS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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