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2SK1625-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: 2SK1625-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1625-VB

2SK1625-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    4VQFS +VODUJPO是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要特点是低损耗、高效率,适用于服务器和电信电源、开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明(如高强度放电灯和荧光灯)等多个领域的工业应用。

    技术参数


    以下是关键的技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30 V
    - 连续漏电流 (TJ = 150 °C):8 A(TC = 25 °C下为10 A)
    - 脉冲漏电流 (IDM):12 A
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):63 °C/W
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):97 mJ
    - 总栅极电荷 (Qg):30 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):10.3 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):12.8 nC
    - 输入电容 (Ciss):147 pF
    - 输出电容 (Coss):未给出具体值
    - 反向转移电容 (Crss):未给出具体值

    产品特点和优势


    4VQFS +VODUJPO具有以下显著特点和优势:
    - 低损耗:通过低栅极电荷和低输入电容实现降低损耗。
    - 高效率:通过减少开关和导通损耗来提高整体系统效率。
    - 卓越的热稳定性:最大结到环境热阻较低,利于散热管理。
    - 多功能性:适用于多种应用场景,包括工业级应用、电源转换等。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于以下场景:
    - 服务器和电信电源:由于其优异的温度稳定性和高效能,非常适合在严苛的环境中使用。
    - 开关电源(SMPS):适用于各种功率等级的应用,可以提供稳定的电力供应。
    - 照明:特别适合用于高强度放电灯和荧光灯球泡控制。
    使用建议:
    - 在安装时确保良好的散热措施以避免过热损坏。
    - 谨慎选择外围电路参数,尤其是栅极驱动电阻和栅极电容,以避免不必要的损耗。

    兼容性和支持


    4VQFS +VODUJPO兼容常见的O-220AB、O-220FULLPAK和TO-252封装形式。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,以确保客户能够充分利用该产品的所有特性和优势。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及其解决方案:
    - 问题:过高的栅源电压导致器件损坏。
    - 解决方法:务必确保VGS不超过额定值。
    - 问题:频繁的开关动作导致过热。
    - 解决方法:增加散热片或改进散热设计。

    总结和推荐


    综上所述,4VQFS +VODUJPO是一款非常优秀的N沟道功率MOSFET,其高效率、低损耗和宽泛的工作温度范围使其成为众多应用场景的理想选择。推荐给需要高性能功率MOSFET的应用场合,尤其是在服务器、电信电源和工业电源等领域。
    通过以上详细的分析和技术参数对比,我们可以看到4VQFS +VODUJPO具备出色的性能和广泛的应用前景。对于寻求高效能、高可靠性的MOSFET解决方案的工程师和设计师来说,这款产品无疑是一个明智的选择。

2SK1625-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK1625-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1625-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1625-VB 2SK1625-VB数据手册

2SK1625-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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