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2604GY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6 具有小型封装和低功耗特性,能够满足小型电子设备和低功率应用的要求,是一款适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。
供应商型号: 2604GY-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2604GY-VB

2604GY-VB概述

    N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 30 V (D-S) MOSFET。这是一种高效的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于直流/交流转换器和高速开关应用。它采用了TrenchFET®工艺技术,具有低导通电阻和良好的热性能,特别适合在严苛的工作环境下提供稳定的性能。

    2. 技术参数


    以下是产品的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 30 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 0.5 | 1.5 V |
    | 漏极电流 | ID | 0.023 | 0.027 Ω |
    | 门源电荷 | Qg | 4.2 | 13 nC |
    | 转导电容 | Ciss | 424 pF |
    | 零栅压漏电流 | IDSS 1 | µA |
    | 最大电源消耗 | PD | 2.5 W |
    | 最高结温 | TJ | -55 | 150 °C |
    其他详细参数可参见相关图表。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:该MOSFET具有非常低的导通电阻,分别在VGS=10V和4.5V时为0.023Ω和0.027Ω,这使得其在低损耗条件下表现出色。
    - 高可靠性:通过TC = 25°C测试,保证所有产品均达到设计标准,非生产测试结果。其设计符合RoHS和IEC 61249-2-21标准。
    - 高性能:具备出色的热性能和高速开关能力,能够在各种复杂的电路环境中稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC/DC转换器:MOSFET广泛应用于高效DC/DC转换器中,确保电源的稳定输出。
    - 电机驱动:可以作为电机驱动器的关键组件,提高电机控制系统的性能和效率。
    - 其他高速开关应用:如信号处理、通信设备等领域。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热,确保工作温度不超出规定的范围。
    - 确保正确的门极驱动电压,以维持低导通电阻状态,减少能量损耗。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET与现有的标准PCB布局和安装方法兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括使用指南和技术文档,以帮助客户顺利集成到他们的电路中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度超出规定范围
    - 解决方案:通过改善散热措施,如增加散热片或外部冷却风扇,降低工作温度,确保在规定范围内。
    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:检查门极驱动电压是否正确,确保其在合适的范围内,必要时调整驱动电路。

    7. 总结和推荐


    VBsemi公司的N-Channel 30 V (D-S) MOSFET凭借其出色的性能和可靠性,在多个领域都有广泛的应用前景。它适用于需要高效能和稳定性的应用场合,且易于集成和维护。因此,我们强烈推荐此款产品。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请随时联系我们的技术支持团队。

2604GY-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Id-连续漏极电流 6A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,40mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2604GY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2604GY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2604GY-VB 2604GY-VB数据手册

2604GY-VB封装设计

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3000+ ¥ 0.6627
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