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K3450-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: K3450-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3450-01-VB

K3450-01-VB概述

    K3450-01-VB Datasheet 文档解读

    1. 产品简介


    产品类型: K3450-01-VB 是一款 N-Channel MOSFET(场效应晶体管)。
    主要功能: 这款 MOSFET 具有低导通电阻、低输入电容和极低栅极电荷,旨在减少开关损耗和传导损耗。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源供应器(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯和荧光灯球泡)
    - 工业设备

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 门源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏电流 (TJ = 150 °C): 186 A
    - 脉冲漏电流 (TJ = 25 °C): 500 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.6 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 21 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 到 +150 °C
    - 漏源电容 (Coss): 21 pF
    - 栅极充电 (Qg): 9 nC
    - 栅极到源极充电 (Qgs): 5 nC
    - 栅极到漏极充电 (Qgd): 10 nC

    3. 产品特点和优势


    - 低优值系数 (FOM): Ron x Qg
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 减少的开关损耗和传导损耗
    - 极低的栅极电荷 (Qg)
    - 雪崩耐受能力
    这些特性使得 K3450-01-VB 在高效率电源转换应用中表现优异,能够显著降低系统的整体功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    K3450-01-VB 广泛应用于高效率电源转换系统中,特别是在需要高效能且低功耗的应用环境中。例如,在服务器电源和电信设备中,这款 MOSFET 可以有效提高电源转换效率,从而延长设备使用寿命并降低成本。建议在设计此类应用时,考虑散热设计和优化电路布局,以确保最佳性能和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    K3450-01-VB 与同类的电源转换设备兼容。制造商提供了详细的文档和技术支持,帮助用户更好地理解和使用这款产品。同时,制造商还提供了可靠的售后服务,以确保用户在使用过程中获得必要的技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 产品如何安装?
    - A: 推荐使用 TO-220AB 封装形式进行安装。确保散热器正确连接以提供有效的热管理。

    - Q: 如何确保产品可靠运行?
    - A: 遵循 datasheet 中提供的温度范围和绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings),并确保正确的电路设计和热管理措施。

    - Q: 如何测试产品的性能?
    - A: 参考文档中的典型特性图(Typical Characteristics)来测试和验证产品性能。通过实际应用中的测试结果进一步调整和优化设计。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K3450-01-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,特别适用于要求高效能和低功耗的电源转换应用。凭借其出色的性能参数和广泛的应用范围,强烈推荐此产品用于需要高性能电源转换的设计中。同时,制造商提供的全面技术支持也将极大地提升用户的体验。

K3450-01-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 9A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3450-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3450-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3450-01-VB K3450-01-VB数据手册

K3450-01-VB封装设计

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