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JCS1N60V-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: JCS1N60V-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS1N60V-VB

JCS1N60V-VB概述


    产品简介


    产品类型:JCS1N60V 是一款 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:它具有低门极电荷、增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性,完全表征了电容和雪崩电压电流。适用于高电压电力转换和电机驱动等应用领域。
    应用领域:广泛应用于开关电源、电机驱动、光伏逆变器、工业控制和各种电源管理电路中。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 连续漏极电流(ID):1.28 A(TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):8 A
    - 最大功耗(PD):45 W(TC = 25 °C)
    - 输出电容(Coss):45 pF
    - 输入电容(Ciss):417 pF
    - 总栅极电荷(Qg):11 nC
    - 门源电荷(Qgs):2.3 nC
    - 门漏电荷(Qgd):5.2 nC
    - 静态特性:漏源击穿电压(VDS):650 V;零栅压漏极电流(IDSS):25 μA
    - 热阻特性:最大结到环境热阻(RthJA):65 °C/W;最大结到外壳热阻(RthJC):2.1 °C/W
    - 工作温度范围:存储温度范围:-55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:简化了驱动需求,降低了能耗。
    - 增强的耐受性:提高了门极、雪崩和动态 dV/dt 的鲁棒性。
    - 全面表征:包括电容和雪崩电压电流,保证了产品的可靠性和稳定性。
    - 环保合规:符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC,确保产品对环境友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例:JCS1N60V 常用于工业电源、光伏逆变器和电机驱动系统中。例如,在工业电源设计中,它可以有效降低开关损耗,提高效率。
    使用建议:
    - 确保 PCB 布局中低杂散电感以避免高频噪声干扰。
    - 设计时考虑采用接地平面,减少电感和泄露电流的影响。
    - 在具体应用中验证产品的相关参数是否满足要求,尤其是电压和电流等级。

    兼容性和支持


    JCS1N60V 与多种标准接口兼容,适用于广泛的电源和控制系统。VBsemi 提供详细的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:门极电荷过高导致驱动困难。
    - 解决方案:检查门极电阻是否合适,适当调整门极电阻值。
    2. 问题:过高的漏源电压影响正常工作。
    - 解决方案:确认 VDS 不超过额定值,并采取合适的散热措施。
    3. 问题:在高温环境下性能下降。
    - 解决方案:使用适当的散热片或热管理策略,确保工作温度不超限。

    总结和推荐


    JCS1N60V 功率 MOSFET 在设计上具备多项独特优势,如低门极电荷、增强的耐受性和全面表征的电容特性,使其在高可靠性应用中表现出色。对于需要高效能和稳定性的高压电力转换和电机驱动系统来说,JCS1N60V 是一个非常值得推荐的选择。此外,其环保合规性和全面的技术支持也进一步增强了其市场竞争力。因此,我们强烈推荐使用这款 MOSFET。

JCS1N60V-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS1N60V-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS1N60V-VB数据手册

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JCS1N60V-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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型号 价格(含增值税)
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