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FDPF10N60ZUT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: FDPF10N60ZUT-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDPF10N60ZUT-VB

FDPF10N60ZUT-VB概述

    FDPF10N60ZUT-VB 650V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDPF10N60ZUT-VB 是一款由VBsemi公司生产的650V N-Channel Power MOSFET(功率场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg)。这款MOSFET因其高效率和出色的开关性能而广泛应用于多种电力电子系统中。主要应用领域包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源和照明系统等。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(最大值) | VDS | - | 650 | - | V |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) | - | 0.44 | - | Ω |
    | 总栅极电荷(最大值) | Qg | - | 43 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 连续漏极电流(TJ = 150°C) | ID | - | 9.4 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 45 | A |
    | 热阻抗(最大值) | RthJA | - | - | 60 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 低功耗特性:FDPF10N60ZUT-VB具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),这使得其在开关操作中能够显著降低损耗,提高能效。
    - 高可靠性:该MOSFET的设计采用了先进的材料和技术,保证了其在高电压和高温环境下的稳定性和长寿命。
    - 卓越的开关性能:得益于超低栅极电荷和快速开关时间,FDPF10N60ZUT-VB适用于高频开关应用,进一步提升了系统的效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电信和服务器电源:由于其出色的开关特性和高效性能,该MOSFET特别适合用于电信基站和服务器电源系统中。
    2. 照明系统:FDPF10N60ZUT-VB也可用于高能效的照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。
    使用建议:
    - 在使用过程中,建议确保良好的散热设计以避免过热损坏。
    - 应根据具体的应用需求选择合适的栅极驱动电压,以优化性能和效率。

    兼容性和支持


    FDPF10N60ZUT-VB 支持广泛的电源和控制系统。制造商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除文档。用户可以通过电话(400-655-8788)或访问公司网站获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确选择合适的栅极驱动电压?
    - 答:建议查阅数据手册中的详细规格,并根据实际应用需求进行调整。通常情况下,VGS=10V是一个良好的起点。

    2. 问:在高电流和高温度环境下,MOSFET会受到哪些影响?
    - 答:确保提供足够的散热措施,如采用大面积散热片或风扇辅助冷却,以保持工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    FDPF10N60ZUT-VB是一款高性能的650V N-Channel Power MOSFET,适用于多种电力电子系统。凭借其低功耗特性、卓越的开关性能和高可靠性,该产品在市场上具有较强的竞争力。对于需要高能效和稳定性的应用,FDPF10N60ZUT-VB是理想的选择。强烈推荐使用此产品,特别是在要求高效率和可靠性的应用场景中。

FDPF10N60ZUT-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDPF10N60ZUT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDPF10N60ZUT-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDPF10N60ZUT-VB FDPF10N60ZUT-VB数据手册

FDPF10N60ZUT-VB封装设计

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