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P15NK50ZFP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: P15NK50ZFP-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P15NK50ZFP-VB

P15NK50ZFP-VB概述


    产品简介


    P15NK50ZFP 是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于550V的高电压环境。它的主要功能是在电力转换和驱动应用中提供高效的电能控制。该产品广泛应用于消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业应用如焊接和感应加热、电机驱动、电池充电器及电源因素校正(PFC)等领域。

    技术参数


    以下是P15NK50ZFP的一些关键技术参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \) : 550V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \) : ±20V
    - 重复性脉冲电流 \( I{DM} \) : 56A
    - 连续漏极电流 \( I{D} \) (TJ = 150 °C): 11A
    - 最大功率耗散 \( PD \) : 60W
    - 热阻 \( R{thJA} \) : - 40 °C/W
    - 输入电容 \( C{iss} \) : 3094pF
    - 输出电容 \( C{oss} \) : 152pF
    - 栅极电荷 \( Qg \) : 150nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \) : 12nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \) : 25nC
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \) (VGS = 10V) : 0.26Ω
    - 雪崩能量等级 \( E{AS} \) : 281mJ
    - 体二极管的雪崩能量 \( E{UIS} \) : 281mJ

    产品特点和优势


    P15NK50ZFP具备多项显著的技术优势:
    - 低面积特定导通电阻,有助于降低功率损耗。
    - 低输入电容(Ciss) 和减少的电容开关损耗,能够提升系统的整体效率。
    - 高体二极管的坚固性 和雪崩能量等级(UIS),确保了更高的可靠性和耐用性。
    - 低栅极驱动电路复杂度 和低图素值(FOM):Ron x Qg,使得该MOSFET更易于集成到各种电路设计中。
    - 快速切换特性,使其在高频开关应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    P15NK50ZFP被广泛应用于消费电子中的显示设备(如液晶显示器或等离子电视)、服务器和电信电源供应系统、工业焊接设备、感应加热系统、电机驱动、电池充电器和SMPS电源因素校正模块等场合。对于实际应用,建议在选择和使用时考虑其工作环境温度限制(-55°C至+150°C)和散热要求。例如,在高功率和高频的应用中,适当的散热措施是必不可少的。

    兼容性和支持


    P15NK50ZFP采用TO-220 FULLPAK封装,这种封装形式广泛用于功率电子设备中,具有良好的散热性能和可靠性。制造商台湾VBsemi提供了详尽的技术支持和售后服务,包括安装指南、使用注意事项及故障排除方法,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过热?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,选择合适的散热器并定期检查工作温度。

    - 问题2:如何进行栅极驱动?
    - 解决方案:根据应用需求,选择合适的栅极驱动器,并遵循制造商的推荐电路。
    - 问题3:如何确定最佳的工作参数?
    - 解决方案:仔细阅读产品手册,确定额定参数并合理配置电路以确保安全运行。

    总结和推荐


    总体来看,P15NK50ZFP是一款高性能、高效能的N沟道功率MOSFET,尤其适合于高电压和高频应用。它在低功耗、紧凑封装和可靠性的结合上表现优异。对于需要高效电能管理和转换的应用场合,P15NK50ZFP是一个理想的选择。基于以上特点,强烈推荐此产品给广大工程师和技术人员。

P15NK50ZFP-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 550V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P15NK50ZFP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P15NK50ZFP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P15NK50ZFP-VB P15NK50ZFP-VB数据手册

P15NK50ZFP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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