处理中...

首页  >  产品百科  >  K2422-VB

K2422-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K2422-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2422-VB

K2422-VB概述


    产品简介


    K2422-VB N-Channel MOSFET
    K2422-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有650V的漏源电压耐受能力。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。其低导通电阻(RDS(on))和高可靠性使其成为许多电力转换和控制应用的理想选择。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650V
    - 门源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(ID):3.8A
    - 脉冲漏极电流(IDM):18A
    - 最大耗散功率(PD):30W
    - 最大结温(TJ):150°C
    - 门源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 总栅极电荷(Qg):48nC
    - 门源电荷(Qgs):12nC
    - 门漏电荷(Qgd):19nC
    - 导通延迟时间(td(on)):1ns
    - 上升时间(tr):20ns
    - 关断延迟时间(td(off)):34ns
    - 下降时间(tf):18ns
    - 体二极管反向恢复时间(trr):493ns
    - 体二极管反向恢复电荷(Qrr):2.1μC

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):减少驱动需求,提高系统效率。
    - 增强的门极、雪崩和动态dV/dt耐久性:提升整体性能和可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特性:提供精确的数据支持。
    - 符合RoHS标准:确保环保合规性。

    应用案例和使用建议


    K2422-VB MOSFET 在多种应用中表现出色,例如开关电源和电机驱动器。对于开关电源,用户可以通过合理配置栅极驱动器来优化系统效率。在电机驱动器中,需要确保适当的栅极电压以实现高效的控制。为了最大化效率,建议选择合适的驱动电阻(RG)并遵循制造商的推荐焊接温度和扭矩规范。

    兼容性和支持


    K2422-VB 与大多数标准电源设计兼容。厂商提供全面的技术支持,包括详细的设计指南、常见问题解答和售后服务。用户可通过厂商的服务热线 400-655-8788 获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极驱动电压不稳定导致MOSFET不能正常工作。
    - 解决方案:确保驱动电路能够提供稳定的栅极驱动电压,并检查电路中的其他可能影响因素。
    2. 问题:MOSFET在高温下出现过热现象。
    - 解决方案:优化散热设计,确保MOSFET的工作温度不超过其最大额定值。必要时可增加散热片或改进散热布局。
    3. 问题:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路中的负载和电源供应,确保它们能够稳定提供所需的电流。同时检查MOSFET是否工作在其额定范围内。

    总结和推荐


    K2422-VB N-Channel MOSFET 以其出色的性能、高可靠性以及宽广的应用范围,非常适合各种高压电力转换和控制应用。通过遵循最佳实践和使用建议,可以最大限度地发挥其潜力。因此,强烈推荐在需要高可靠性和高效能的场合中使用此器件。

K2422-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2422-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2422-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2422-VB K2422-VB数据手册

K2422-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336