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FQPF7N10-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: FQPF7N10-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF7N10-VB

FQPF7N10-VB概述

    FQPF7N10-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FQPF7N10-VB 是一款N沟道100V耐压(D-S)的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款电子元器件以其独特的隔离封装、高电压隔离能力和卓越的工作温度范围而著称。它广泛应用于开关电源、电机驱动、照明系统等领域,为工程师提供了一种高效且可靠的解决方案。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(Tc=25°C) | ID | - | - | 18 | A |
    | 冲击漏极电流 | IDM | - | - | 68 | A |
    | 功耗 | PD | - | - | 48 | W |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.086 | - | Ω |
    | 开启时栅源电荷 | Qg | - | 72 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1700 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 560 | - | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | 120 | - | pF |

    产品特点和优势


    FQPF7N10-VB 的主要特点和优势包括:
    1. 隔离封装:确保电路的安全运行。
    2. 高电压隔离:具备2.5 kVRMS的高电压隔离能力,满足大多数工业应用的需求。
    3. 低热阻抗:热阻抗低,有助于提高散热效率,减少热量积累。
    4. 宽工作温度范围:能够在-55°C到+175°C的范围内正常工作,适用于各种恶劣环境。
    5. 动态dV/dt等级:具有较高的dV/dt等级,适合快速切换应用。
    这些特点使得 FQPF7N10-VB 在众多场合下表现出色,特别是在需要高可靠性和高性能的应用中,如电源转换、电机控制和汽车电子等领域。

    应用案例和使用建议


    FQPF7N10-VB 在实际应用中的常见场景包括:
    1. 开关电源:作为开关管,用于直流-直流转换器。
    2. 电机驱动:在电机控制系统中,用于驱动电动机。
    3. 照明系统:在LED照明系统中,用于驱动LED灯。
    使用建议:
    - 在选择合适的栅极电阻时,需考虑开关速度和功耗之间的平衡。
    - 确保良好的散热措施,以避免因过热而导致的损坏。
    - 注意避免瞬间高压冲击,特别是在感性负载下。

    兼容性和支持


    FQPF7N10-VB 具有良好的兼容性,可与其他标准电子元件一起使用。制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括产品文档、应用指南和技术支持热线(400-655-8788),帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中发热严重,影响设备寿命。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,可以使用散热片或散热风扇来增强散热效果。

    2. 问题: 开关频率过高导致器件损坏。
    - 解决方案: 根据具体应用需求调整开关频率,适当降低开关频率,增加开关时间间隔。
    3. 问题: 使用过程中发现器件出现击穿现象。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保器件工作在额定电压范围内,避免超负荷工作。

    总结和推荐


    FQPF7N10-VB 作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其高可靠性、出色的电气特性和宽泛的工作温度范围,在各类应用中表现出色。特别是对于需要高效率、高稳定性的应用场合,如电源管理和电机控制等,是理想的选择。
    综上所述,我们强烈推荐 FQPF7N10-VB 作为电子元器件的首选产品,以满足现代电子设备对高效能和高可靠性的要求。

FQPF7N10-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FQPF7N10-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF7N10-VB数据手册

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FQPF7N10-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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