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K22A10N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K22A10N1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K22A10N1-VB

K22A10N1-VB概述

    # K22A10N1-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K22A10N1-VB 是一款N沟道功率MOSFET,适用于100V(D-S)电压的应用场景。这款器件采用先进的TrenchFET®技术,具备卓越的开关特性和可靠性,广泛应用于电源管理、电机控制及工业自动化等领域。

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 连续漏电流 \( I{D} \):
    - \( T{J} = 150°C \): 90 A
    - \( T{A} = 25°C \): 90 A
    - \( T{A} = 70°C \): 70 A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 287 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{A} \): 75 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 280 mJ
    - 最大功耗 \( P{D} \):
    - \( T{A} = 25°C \) (TO-220F): 56 W
    - \( T{A} = 25°C \) (TO-220F): 3.75 W
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C 至 175°C
    热阻参数
    - 安装在PCB上的结到环境热阻 \( R{thJA} \): 40 °C/W
    - 自由空气下的结到环境热阻 \( R{thJA} \): 62.5 °C/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.6 °C/W
    静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1 - 3 V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1 µA (在 \( V{GS} = 0 V \), \( T{J} = 125°C \))
    - 开启状态漏电流 \( I{D(on)} \): 120 A (在 \( V{GS} = 10 V \))
    动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 6550 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 665 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 265 pF
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \): 105 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 17 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 23 nC

    产品特点和优势


    K22A10N1-VB 的核心优势在于其采用的TrenchFET®技术,使得其具有非常低的导通电阻 \( R{DS(on)} \),同时能够在高达175°C的结温下稳定运行。这一特性使其在高温环境下依然能够保持优异的性能。此外,其符合RoHS标准的设计也确保了产品的环保性,满足现代电子产品的严格要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K22A10N1-VB 广泛应用于各类电源管理电路中,如直流-直流转换器、逆变器以及各种电机驱动系统。其在大电流环境下的高可靠性使其成为这些应用场景的理想选择。
    使用建议
    1. 散热设计:由于其高功耗,建议使用较大的散热片或者散热器来帮助器件散热,特别是在高温环境下长时间工作时。
    2. 驱动电路:为了优化开关性能,建议使用合适的门极驱动电路,以减少开关损耗。
    3. 布局布线:合理规划PCB布局,确保栅极和源极引脚之间有较短的距离,以减小寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    K22A10N1-VB 采用标准的TO-220封装,与其他同类型封装的产品高度兼容。制造商提供了详细的技术支持文档和应用指南,确保客户在使用过程中能够获得必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 器件过热
    2. 开关损耗大
    解决方案
    1. 使用散热片或散热器:增加散热措施可以有效降低工作温度,延长器件寿命。
    2. 优化驱动电路:使用合适的驱动电路可以显著降低开关损耗,提高整体效率。

    总结和推荐


    总体而言,K22A10N1-VB是一款性能优良的N沟道功率MOSFET,适合用于高电流和高温环境的应用场合。其出色的导通电阻和高温稳定性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐使用此产品,尤其是在需要高性能和高可靠性的应用场景中。

K22A10N1-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Id-连续漏极电流 90A
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K22A10N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K22A10N1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K22A10N1-VB K22A10N1-VB数据手册

K22A10N1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.3738
100+ ¥ 4.0499
500+ ¥ 3.8879
1000+ ¥ 3.7259
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