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P9NM50N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: P9NM50N-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P9NM50N-VB

P9NM50N-VB概述

    P9NM50N N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P9NM50N 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET)。该产品具备低导通电阻、高可靠性以及低功耗特性,适用于多种高效率电源转换系统和工业控制应用。

    2. 技术参数


    以下是P9NM50N的主要技术参数及性能指标:
    - 工作电压 (VDS): 最大650 V
    - 漏极电流 (ID): 持续工作最大120 A,峰值电流最大186 A
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在VGS=10 V、ID=4 A时,典型值为0.5 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 典型值为1,470 pF
    - 输出电容 (Coss): 典型值为12 pF
    - 栅电荷 (Qg): 典型值为18 nC
    - 门限电压 (VGS(th)): 典型值为2~4 V
    - 反向恢复时间 (trr): 典型值为190 ns

    3. 产品特点和优势


    P9NM50N 的主要优势如下:
    - 低开关损耗: 低栅极电荷(Qg)、输入电容(Ciss) 和反向转移电容(Crss),降低开关损耗。
    - 高效能: 低导通电阻(RDS(on)),在高电流应用中具有更高的效率。
    - 强可靠性: 高耐受能力,重复脉冲测试条件下具有出色的稳定性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应系统: 由于其低功耗和高效率,适合用于高性能计算系统。
    - 开关电源 (SMPS): 用于消费类电子产品和工业设备中,提供高效能量转换。
    - 照明系统: 用于高强度放电灯 (HID) 和荧光灯驱动,实现高效的灯具控制。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于功率器件会产生较高热量,建议使用良好的散热装置以确保长期稳定性。
    - 电路布局: 减少寄生电感,采用大面积接地平面设计,提高电路的整体效率。

    5. 兼容性和支持


    P9NM50N 与其他主流电源管理系统高度兼容。厂商提供全面的技术支持,包括详细的使用手册、参考设计和样片支持,帮助用户快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程过热
    - 解决方法: 使用合适的散热片,并确保良好的通风环境。
    - 问题: 负载不稳定
    - 解决方法: 检查负载连接情况,并确保电流负载不超过额定范围。

    7. 总结和推荐


    P9NM50N N-Channel Power MOSFET凭借其卓越的性能和高效能,在服务器电源、开关电源以及照明控制等领域表现出色。其低功耗、高可靠性和宽泛的工作温度范围使其成为工业应用的理想选择。强烈推荐在需要高效能和高稳定性的应用中使用此产品。
    如果您有任何具体问题或需求,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

P9NM50N-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 9A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P9NM50N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P9NM50N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P9NM50N-VB P9NM50N-VB数据手册

P9NM50N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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