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FDP5N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: FDP5N50-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDP5N50-VB

FDP5N50-VB概述

    FDP5N50-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDP5N50-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要用于开关模式电源(SMPS)和其他需要高频率和高效率的应用场合。其低门极电荷(Qg)特性简化了驱动需求,增强了门极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。这种MOSFET非常适合在线SMPS拓扑结构,例如有源钳位正激变换器和主开关。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 600V
    - 导通电阻:RDS(on) (VGS = 10 V) = 0.780Ω
    - 最大门极电荷:Qg max. = 49 nC
    - 门极-源极电荷:Qgs = 13 nC
    - 门极-漏极电荷:Qgd = 20 nC
    - 绝对最大额定值:VDS = 600V, VGS = ±30V
    - 持续漏极电流:IDM = 8.0A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 37A (受限于最高结温)
    - 单次脉冲雪崩能量:EAS = 290mJ
    - 重复雪崩电流:IAR = 8.0A
    - 重复雪崩能量:EAR = 17mJ
    - 最大功率耗散:PD = 170W (TC = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:降低了驱动需求,提升了系统的能效。
    - 增强的耐用性:提高了门极、雪崩和动态dv/dt的耐用性,延长了使用寿命。
    - 全面表征:具有精确的电容和雪崩电压电流特性,便于在设计时准确计算。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和高速功率开关。具体例子如有源钳位正激变换器中的主开关。
    - 使用建议:确保电路布局中采用低杂散电感和地平面以减少电磁干扰。根据测试条件(如IAR = 9.2A, dI/dt ≤ 50 A/μs),合理控制峰值电流和开关速率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET适用于多种在线SMPS拓扑结构,包括有源钳位正激变换器。其封装为TO-220AB,符合工业标准,易于安装。
    - 支持和服务:制造商提供详细的技术文档和热阻评级,以便用户进行准确的设计和测试。如有任何问题,可通过提供的服务热线400-655-8788获取支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免MOSFET过热?
    - 解决方案:使用散热器或强制风冷以确保MOSFET工作在安全温度范围内。参考图11了解瞬态热阻抗曲线。
    - 问题2:如何提高MOSFET的可靠性和耐用性?
    - 解决方案:遵循最佳的电路布局实践,例如采用低杂散电感和地平面,并确保门极驱动电压稳定。

    7. 总结和推荐


    - 优点总结:FDP5N50-VB MOSFET凭借其低门极电荷、增强的耐用性和全面表征的特性,在开关模式电源和其他高频率应用中表现出色。其紧凑的TO-220AB封装使其易于集成到现有系统中。
    - 推荐意见:鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在设计中使用FDP5N50-VB MOSFET。它是一款高度可靠且性价比高的选择,适合追求高效能和低功耗的应用场合。

FDP5N50-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDP5N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDP5N50-VB数据手册

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FDP5N50-VB封装设计

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