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3N65KG-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 3N65KG-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3N65KG-TF3-T-VB

3N65KG-TF3-T-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型:
    N-Channel 650V 功率 MOSFET
    主要功能:
    这款功率 MOSFET(型号为3N65KG-TF3-T-VB)是一款高性能的低导通电阻(RDS(on))器件,适用于高电压、大电流的应用场合。它具有较低的门极电荷(Qg),能有效简化驱动要求,提升栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性。
    应用领域:
    广泛应用于工业控制、电源转换系统、马达驱动和逆变器等领域。

    技术参数


    - VDS(漏源电压):650V
    - RDS(on)(导通电阻):VGS = 10V 时 2.5Ω
    - Qg(总门极电荷):最大值 48nC
    - Qgs(门源电荷):12nC
    - Qgd(门漏电荷):19nC
    - 配置:单管结构
    - 绝对最大额定值:650V 漏源电压,±30V 门源电压
    - 连续漏极电流:TC = 25°C 时为 3.8A,TC = 100°C 时为 25A
    - 单脉冲雪崩能量:325mJ
    - 重复雪崩电流:4A
    - 最大功率耗散:TC = 25°C 时为 30W
    - 雪崩电压和电流:全面特性化
    - 热阻抗:最大结到环境热阻为 65°C/W,最大结到外壳(漏极)热阻为 2.1°C/W
    - 栅极漏电流:VGS = ±30V 时 ≤±100nA
    - 门源充电电容:Ciss、Coss 和 Crss 分别为 80pF、1912pF 和 7.0pF

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:实现简单的驱动要求,降低系统成本。
    2. 增强型耐受性:改善栅极、雪崩和动态 dv/dt 的耐受性。
    3. 完全特性化:提供可靠的雪崩电压和电流参数。
    4. 环保合规:符合 RoHS 指令。

    应用案例和使用建议


    这款 MOSFET 可以用于各类高电压大电流的应用场合,例如开关电源、电机控制器和逆变器等。使用建议如下:
    1. 应用场合选择:根据具体应用需求选择合适的电流和电压等级。
    2. 散热管理:在高功率应用中,应注意良好的散热设计,避免温度过高导致性能下降。
    3. 驱动电路优化:由于其低门极电荷,可以选择合适的驱动器以进一步提高效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可以与标准的 650V 系统兼容,确保与现有系统无缝集成。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和专业的客户服务支持,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:电源转换过程中 MOSFET 过热。
    解决方案:增加散热片或者风扇进行散热,确保良好的热管理。
    2. 问题:驱动电压不稳定导致 MOSFET 工作异常。
    解决方案:检查驱动电路,确保稳定的驱动电压。

    总结和推荐


    3N65KG-TF3-T-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V 功率 MOSFET,具备低导通电阻、简单驱动要求和优秀的耐受性。它在各种高电压大电流应用中表现出色,适用于多种工业控制系统。推荐给需要高可靠性和高效能的电力电子应用项目。

3N65KG-TF3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

3N65KG-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3N65KG-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3N65KG-TF3-T-VB 3N65KG-TF3-T-VB数据手册

3N65KG-TF3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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