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K3520-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K3520-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3520-VB

K3520-VB概述

    # K3520-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    K3520-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有 650V 的最大耐压能力(D-S)。其低导通电阻 (RDS(on)) 和卓越的开关性能使其成为各种电源转换和高效率功率应用的理想选择。本产品适用于服务器、通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明(如高强度放电灯和荧光灯管)等领域。
    主要功能:
    - 低导通电阻 (RDS(on))
    - 超低栅极电荷 (Qg)
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 减少开关和导通损耗
    - 支持重复雪崩击穿 (UIS)
    应用领域:
    - 服务器及通信电源系统
    - 工业级设备
    - 照明控制电路
    - 高效能源管理系统

    技术参数


    以下是 K3520-VB 的关键性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压 (D-S) | VDS | - | 650 | - | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | - | 0.018 | - | Ω |
    | 最大漏极电流 (TJ=25°C)| ID | - | 12 | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | 45 | - | A |
    | 开关时间延迟 (td(on)) | - | - | 13 | 25 | ns |
    | 关断时间延迟 (td(off))| - | - | 81 | 90 | ns |
    | 栅极充电量 (Qg) | - | - | 43 | - | nC |

    产品特点和优势


    K3520-VB 在技术上具有多项显著优势:
    1. 低损耗设计:通过极低的导通电阻 (RDS(on)) 和超低栅极电荷 (Qg),大幅减少导通损耗和开关损耗,从而提高整体能效。
    2. 快速开关性能:极短的开关时间 (td(on) 和 td(off)) 可满足高频应用需求,实现高效快速的开关转换。
    3. 可靠保护机制:具有重复雪崩能量能力 (UIS),可应对极端工作条件下的电流冲击。
    4. 通用兼容性:支持多种应用,特别适合高要求的工业级和消费级电子产品。
    这些特性使得 K3520-VB 成为当今电力电子领域的关键技术产品,尤其在需要高效能、低功耗的环境中具备很强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    1. 服务器和电信电源:K3520-VB 可作为高效的电源管理核心元件,确保长期稳定运行。
    2. 工业驱动器:由于其较强的抗干扰能力和高可靠性,适合在恶劣环境中使用。
    3. 照明控制:可用于控制高强度放电灯和荧光灯的供电电路。
    使用建议:
    - 为了最大化开关效率,建议将 Qg 和 RDS(on) 的值保持在典型范围内。
    - 设计时应充分考虑散热措施,避免过热对器件寿命造成影响。
    - 在高频开关应用中,需仔细调整驱动电路以优化性能。

    兼容性和支持


    K3520-VB 支持与主流 PCB 设计的兼容性,同时提供详细的参考设计文档和技术支持。客户可通过制造商的服务热线 400-655-8788 获取更多技术支持和定制化服务。

    常见问题与解决方案


    问题 1:设备在高温环境下性能下降。
    解决方法:检查散热方案,增加外部冷却装置,确保工作温度低于允许范围。
    问题 2:开关速度不足。
    解决方法:优化驱动电路设计,降低驱动电阻阻值以加快开关速度。

    总结和推荐


    K3520-VB 是一款兼具高效能和可靠性的 N 沟道功率 MOSFET,非常适合现代电力电子系统。其出色的低损耗特性、快速开关性能以及高可靠性使其在多个领域中具有广泛的应用前景。对于需要高效能电力转换和稳定的电子设备而言,K3520-VB 是一个非常值得推荐的产品。
    推荐指数:★★★★★

K3520-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3520-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3520-VB数据手册

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K3520-VB封装设计

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