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K2741-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K2741-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2741-VB

K2741-VB概述

    电子元器件技术手册:N-Channel 60V MOSFET

    产品简介


    本文档介绍了一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel 60V MOSFET。该器件主要用于便携式设备中的负载开关,具备卤素自由的优势,适用于多种应用场景。其典型应用场景包括笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 0 V
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C: 4 A
    - TC = 70 °C: 2.5 A, 1.6 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 不适用
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C): 2.5 W, 1.6 W (TA = 70 °C)
    - 操作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 焊接推荐 (峰值温度): 260°C
    - 热阻率:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 最大结至脚(漏极)稳态热阻 (RthJF): 15 °C/W
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 0 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 1.5 V
    - 门源漏电 (IGSS): ±100 nA
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 55 °C)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 120 pF (VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 100 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 100 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 22 nC (VDS = 10 V, VGS = 10 V, ID = 6.3 A)
    - 栅极电阻 (Rg): 2.4 Ω (f = 1 MHz)

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:该器件采用无卤素材料制成,符合环保要求。
    - 高性能TrenchFET技术:集成TrenchFET技术,提供较低的导通电阻(RDS(on)),使得该器件在高电流密度下仍能保持高效运行。
    - 优越的热阻特性:具有较高的热阻率(RthJA = 40 °C/W),适用于紧凑型设计和高强度应用。
    - 广泛的工作温度范围:-55°C 至 150°C 的宽泛工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:这款MOSFET被广泛应用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备的负载开关中。
    - 使用建议:为了提高可靠性和散热效果,在高电流环境下建议增加外部散热片或优化散热路径。此外,建议在焊接过程中遵循制造商提供的焊接条件,避免因手动焊接导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此器件与其他主流便携式设备中的负载开关兼容,可直接替换传统MOSFET,实现无缝升级。
    - 支持:台湾VBsemi提供了详细的技术支持和售后维护服务,包括在线文档、应用指南和技术论坛。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确选择MOSFET的栅极驱动电压?
    - 解决办法:确保栅极驱动电压(VGS)不超出制造商规定的最大限值,以避免器件损坏。

    - 问题2:如何优化MOSFET的热性能?
    - 解决办法:在使用过程中添加外部散热片或改善散热路径,以降低热阻并提升散热效率。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 60V MOSFET凭借其出色的导通电阻(RDS(on))、宽泛的工作温度范围和卓越的热阻特性,在便携式设备的负载开关中表现出色。我们强烈推荐该产品用于需要高效率和高可靠性应用场景。

K2741-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,88mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2741-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2741-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2741-VB K2741-VB数据手册

K2741-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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