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L1104-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
供应商型号: L1104-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) L1104-VB

L1104-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款基于TrenchFET®技术的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力转换和电源管理应用。它主要设计用于同步整流和开关电源等领域,提供高效率和低功耗操作。这款MOSFET具备出色的电气特性和可靠性,能够满足各种工业和消费级应用的需求。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 40 | - | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±2 | - | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 110 | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 85 | - | - | A |
    | 雪崩能量 | EAS | 320 | - | - | V·A |
    | 最大功率耗散 | PD | 312 | - | - | W |
    | 工作结温范围 | TJ | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    该MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,具有较低的导通电阻(RDS(on)),可显著降低功耗并提高效率。此外,它通过了全部Rg和UIS测试,确保了高可靠性和稳定性。适合于需要高性能和低损耗的场合,如同步整流和开关电源设计。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于各种电力电子系统中,如直流-直流转换器、逆变器及电池充电器等。在使用时,应根据具体的应用需求选择合适的驱动电路配置,以最大化利用其性能优势。例如,在高频应用中,需特别注意寄生电容的影响,并合理调整驱动信号。

    5. 兼容性和支持


    此款MOSFET支持标准TO-220封装形式,易于集成到现有设计中。VBsemi公司为其提供了全面的技术支持和服务保障,包括详尽的数据手册和技术文档下载链接。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻以优化驱动性能 |
    | 温度过高 | 加强散热措施或减少负载电流 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款N沟道MOSFET凭借其卓越的技术指标、广泛的适用性以及良好的性价比,在众多电力电子应用场景下表现出色。我们强烈推荐给那些追求高效能解决方案的设计工程师们。如有进一步疑问,请随时联系我们的客户服务团队获取帮助。
    联系方式:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

L1104-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,7mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 110A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

L1104-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

L1104-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 L1104-VB L1104-VB数据手册

L1104-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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