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H7N1005DL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,15A,RDS(ON),115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.41Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: H7N1005DL-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H7N1005DL-VB

H7N1005DL-VB概述

    H7N1005DL N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    H7N1005DL 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高可靠性和高性能特性。它适用于初级侧开关等多种电力转换应用,如电源管理和逆变器系统。MOSFET 主要用于高频开关操作,其低导通电阻和高阈值电压使得它在高电流应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性:
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 漏极连续电流 (ID): 15 A(25°C);8.7 A(125°C)
    - 源极连续电流 (IS): 15 A
    - 雪崩电流 (IAR): 15 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 11.3 mJ
    - 热性能:
    - 结到环境热阻 (RthJA): 16°C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 2°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100 V
    - 门阈电压 (VGS(th)): 从 2.5 V 到 4.0 V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1 μA(25°C),50 μA(125°C)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 892 pF
    - 输出电容 (Coss): 110 pF
    - 传输电容 (Crss): 70 pF
    - 总门电荷 (Qg): 20 nC
    - 开关特性:
    - 开启延时时间 (td(on)): 8 ns
    - 上升时间 (tr): 35 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 17 ns
    - 下降时间 (tf): 30 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 可在高达 175°C 的结温下工作,并且所有 Rg 都经过测试。
    - 宽泛的工作温度范围: 能够在 -55°C 至 175°C 之间稳定运行。
    - 优化的开关特性: 具有非常短的上升时间和下降时间,有助于提高电路的整体效率。
    - 高能效: 低导通电阻 (RDS(on)) 有助于减少功耗,从而提高能效。

    4. 应用案例和使用建议


    H7N1005DL 广泛应用于各种电力转换电路,如初级侧开关、电源管理和逆变器系统。具体应用场景包括:
    - 电源管理: 在高频率开关电源中,利用其低导通电阻和高阈值电压,能够有效降低损耗。
    - 逆变器系统: 在需要高可靠性的环境中,该 MOSFET 能够保证长时间稳定的运行。
    使用建议:
    - 在进行设计时,需确保电路中提供的散热措施足以应对可能产生的热量。
    - 使用时,注意检查 MOSFET 的最大工作电压 (VDS) 和电流 (ID),避免超出极限值。

    5. 兼容性和支持


    该产品可以轻松集成到现有的电力电子设计中,具有广泛的兼容性。制造商提供详细的技术文档和客户支持,以帮助客户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温度环境下 MOSFET 的性能如何?
    - 解决方案: 在高温度环境下,尽管性能会有所下降,但该 MOSFET 设计为能在高达 175°C 的结温下稳定工作。需要注意的是,过高的温度会影响其可靠性,因此需考虑适当的散热措施。

    - 问题: 如何确定合适的门驱动电阻 (Rg)?
    - 解决方案: 选择合适的门驱动电阻 (Rg) 可以帮助控制 MOSFET 的开关速度,降低开关损耗。可以通过查阅手册中的图表来选择最佳值。

    7. 总结和推荐


    H7N1005DL N 沟道 MOSFET 在电力转换应用中表现出色,特别是在需要高效和高可靠性的情况下。它拥有宽泛的工作温度范围、高可靠性以及优化的开关特性,使其成为许多电力电子设计的理想选择。我们强烈推荐该产品,尤其是对于需要长期稳定工作的电力管理系统。
    如果您对产品有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

H7N1005DL-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.41V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,120mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 15A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

H7N1005DL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H7N1005DL-VB数据手册

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H7N1005DL-VB封装设计

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