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HFS5N65S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: HFS5N65S-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFS5N65S-VB

HFS5N65S-VB概述

    # HFS5N65S-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HFS5N65S-VB 是一款由 VBsemi 推出的 N 沟道增强型硅场效应晶体管(MOSFET),其额定电压为 650V,主要应用于高压电力系统和电源转换领域。该产品具有低门极电荷(Qg)和高鲁棒性等特点,可简化驱动电路设计并提供可靠的开关性能。HFS5N65S-VB 采用 TO-220 Fullpak 封装形式,符合 RoHS 标准,适用于广泛的工业应用。
    主要功能与应用领域
    - 功能: 高压开关、电机驱动、DC-DC 转换器等。
    - 应用领域: 工业电源、通信电源、新能源发电逆变器及电动车充电设备。

    技术参数


    以下为 HFS5N65S-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压范围 | VGS | ±30 V |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 V |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 2.5 Ω |
    | 总栅电荷 | Qg 48 nC |
    | 有效输出电容 | Coss eff. 84 pF |
    其他性能参数还包括:最大脉冲漏极电流 IDM = 18A,最高结温 TJ = 150°C,以及 25°C 时的热阻抗 RthJA = 65°C/W。
    产品特点与优势
    1. 低门极电荷(Qg):显著降低驱动电路的复杂性,提高系统效率。
    2. 鲁棒性:具备出色的栅极、雪崩耐受能力和动态 dV/dt 能力,确保可靠运行。
    3. 温度特性:在宽广的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
    4. 认证与环保:完全符合 RoHS 和无卤素标准,满足现代电子产品的环保要求。
    这些特性使得 HFS5N65S-VB 在高可靠性需求的应用中具有显著的优势。
    应用案例与使用建议
    应用案例
    HFS5N65S-VB 常用于工业电源模块,如 UPS 系统中的 DC-DC 转换器或电机控制逆变器中。其高耐压能力和优良的开关性能能够有效减少热损耗并提升整体效率。
    使用建议
    1. 驱动电路设计:由于门极电荷较低,建议选择低功耗驱动 IC,例如 Infineon 或 TI 的相关产品。
    2. 散热管理:结合适当的散热片和 PCB 设计以防止过热导致的失效。
    3. 匹配其他组件:选择与该 MOSFET 性能相匹配的电感、电容等外围元件,避免因参数不匹配而影响性能。
    兼容性与支持
    HFS5N65S-VB 可与主流控制器 IC(如 STM32、TI MSP430 系列)无缝协作,并且支持行业标准的 TO-220 Fullpak 封装。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括样品申请、定制化技术支持以及长期供货保障。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高引起异常发热 | 降低开关频率并优化 PCB 布局 |
    | 栅极震荡导致误导通 | 添加外部阻尼电阻以稳定信号 |
    | 工作电流超过额定值 | 检查负载是否超载,并调整限流电路 |
    总结与推荐
    HFS5N65S-VB 是一款高性能的高压 N 沟道 MOSFET,适合需要高效率、高可靠性的应用场景。凭借其优异的开关特性和全面的支持体系,该产品是工业级应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于高压直流转换、电机驱动等领域,尤其是对成本敏感但追求卓越性能的客户群体。
    如有任何疑问或需进一步技术支持,请联系 VBsemi 客户服务热线:400-655-8788 或访问官方网站 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

HFS5N65S-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HFS5N65S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFS5N65S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFS5N65S-VB HFS5N65S-VB数据手册

HFS5N65S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
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