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NP34N055ILE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: NP34N055ILE-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP34N055ILE-VB

NP34N055ILE-VB概述

    NP34N055ILE N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NP34N055ILE 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有卓越的耐高温能力(最高可达 175°C 结温)。其采用先进的 TrenchFET® 工艺技术,显著提升了开关效率和电流承载能力。这款 MOSFET 主要适用于高压快速开关电路、电机控制、直流到直流转换器以及汽车电子等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 额定电压 (VDS) | 60 | V |
    | 开启电阻 (RDS(on)) | 0.010Ω | @ VGS=10V, ID=20A |
    | 连续漏极电流 (ID) | 60 | A |
    | 热阻抗 (RthJA) 15 | 18 | °C/W |
    | 极限工作温度 (TJ) -55 | 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 高耐温性能:可在高达 175°C 的环境下稳定工作,特别适合严苛的工业和汽车应用环境。
    2. 低导通电阻:典型 RDS(on) 仅为 0.010Ω,在高电流应用中实现更低的功耗和更高的效率。
    3. 高速开关特性:优秀的动态电容参数使其在高频应用中表现出色,适合要求快速开关的场合。
    4. 高可靠性:通过严格的热设计测试,确保长期运行的稳定性。

    应用案例和使用建议


    1. 电动汽车驱动系统:适用于电机控制模块,利用其高温特性和高效能来应对恶劣的行驶条件。
    2. 电源管理:可用于高效的 DC-DC 转换器中,提高整体系统的能效比。
    3. 工业自动化设备:在恶劣环境条件下提供可靠性能,如伺服驱动和机器人手臂。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保 PCB 设计符合热管理需求,避免因过热导致的性能下降。
    - 结合驱动电路优化门极充电时间,以充分利用其高速开关能力。

    兼容性和支持


    NP34N055ILE 可与市面上主流的电源管理和微控制器产品兼容,支持表面贴装工艺(SMD)。厂商提供详尽的技术文档和技术支持,客户可通过服务热线(400-655-8788)获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中过热 | 改善散热设计或降低负载电流 |
    | 启动时漏电流过大 | 确保门极驱动电压足够高 |
    | 动态性能不如预期 | 调整驱动电阻值以优化门极充电时间 |

    总结和推荐


    NP34N055ILE N 沟道 MOSFET 是一款性能卓越、可靠稳定的电子元件,适合多种高压及高温应用环境。其出色的导通电阻和耐温特性使其在市场上极具竞争力。如果您需要在严苛条件下工作的高性能电子元件,我们强烈推荐选择此款产品。同时,建议客户结合具体应用需求,进一步验证其技术参数与实际环境的匹配度。

NP34N055ILE-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP34N055ILE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP34N055ILE-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP34N055ILE-VB NP34N055ILE-VB数据手册

NP34N055ILE-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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