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IRF7755TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.2A,RDS(ON),33mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: IRF7755TRPBF-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7755TRPBF-VB

IRF7755TRPBF-VB概述

    双沟道P-沟道30V(D-S)MOSFET 技术手册

    产品简介


    双沟道P-沟道30V(D-S)MOSFET是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高可靠性负载开关和电池切换应用设计。它采用先进的TrenchFET®技术,提供低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种电子设备中。

    技术参数


    - 最大电压:VDS = -30V
    - 最大栅极电压:VGS = ±20V
    - 连续漏极电流:TA = 25°C时ID = -5.2A;TA = 70°C时ID = -4.2A
    - 脉冲漏极电流:IMD = -30A
    - 最高功耗:TA = 25°C时PD = 1.14W;TA = 70°C时PD = 0.73W
    - 存储温度范围:Tstg = -55°C至150°C
    - 热阻抗:
    - 最大结点到环境温度热阻:TA ≤ 10s时RthJA = 86°C/W
    - 稳态热阻:TA = 25°C时RthJA = 124°C/W;RthJF = 52°C/W
    - 阈值电压:VGS(th) = -1.0V 至 -3.0V
    - 零栅极电压漏极电流:IDSS = -1μA 至 -10μA

    产品特点和优势


    - 卤素无铅:符合RoHS标准,环保且对健康友好。
    - 先进的TrenchFET®技术:提供卓越的性能和高可靠性。
    - 高电流处理能力:连续漏极电流达到5.2A,满足多种应用需求。
    - 宽温度适应范围:可在极端温度条件下稳定工作,适用于各种恶劣环境。
    - 低导通电阻:在VGS = -10V时RDS(on)仅为0.036Ω,保证高效的能量转换。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:在需要快速切换的大功率应用中表现出色,例如电动工具、服务器电源管理。
    - 电池开关:可用于便携式电子设备,确保电池的有效管理和高效使用。
    使用建议:
    - 在使用过程中,务必注意散热,避免长时间过载导致过热损坏。
    - 建议使用热管理措施,如散热片或风扇,以提高系统整体效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准TSSOP-8封装的MOSFET兼容,可直接替换使用。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,如有问题请联系官方技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备发热严重。
    - 解决方案:检查电路设计,增加散热装置,如散热片或风扇。
    - 问题2:电流过大导致器件损坏。
    - 解决方案:确认电路参数设置正确,检查并调整负载情况。

    总结和推荐


    双沟道P-沟道30V(D-S)MOSFET凭借其卓越的性能、广泛的温度适应范围和低导通电阻,成为一款非常理想的电子元件选择。其独特的功能使其在负载开关和电池开关应用中表现出色。强烈推荐此产品用于需要高可靠性和高效率的应用场合。

IRF7755TRPBF-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5.2A
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,40mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7755TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7755TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7755TRPBF-VB IRF7755TRPBF-VB数据手册

IRF7755TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
3000+ ¥ 3.9595
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