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FH5406-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于对能效、功率密度、可靠性及供应链安全有较高要求的领域;如汽车电子系统、高密度电源模块、机器人与自动化系统等。
供应商型号: FH5406-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FH5406-VB

FH5406-VB参数

参数 值
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,18mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FH5406-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

FH5406-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FH5406-VB FH5406-VB数据手册

FH5406-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
5000+ ¥ 3.1672
库存: 400000
起订量: 10 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
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