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J419-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-12V,-13A,RDS(ON),7mΩ@4.5V,8.4mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: J419-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J419-VB

J419-VB概述

    P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P-Channel 12-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种单极型半导体器件,主要用于电子电路中的开关应用。它具有低导通电阻、高效率和快速响应的特点,适用于负载开关和电池切换等多种应用场景。该产品符合RoHS指令2002/95/EC,且无卤素,满足环保要求。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 (VGS) | ±8 | V |
    | 漏源电压 (VDS) | -12 | V |
    | 连续漏极电流 (TJ = 150°C) | -16 (25°C) | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | -50 | A |
    | 最大功率耗散 (25°C) | 3.0 | W |
    | 热阻抗 (稳态) | 70 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-free:无卤素,符合IEC 61249-2-21标准。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,提高器件性能和可靠性。
    - RoHS Compliant:符合欧盟RoHS指令,环保安全。
    - 低导通电阻:在不同栅源电压下,导通电阻低至0.0050Ω,有助于提高电路效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于需要高效能开关的应用,如电动工具、数据中心等。
    - 电池切换:适用于便携式设备中的电池管理,确保电池切换的高效性。
    使用建议:
    - 在使用过程中,注意保持环境温度不超过150°C,以避免热失效。
    - 使用时需控制好驱动信号,防止超过最大栅源电压限制。

    5. 兼容性和支持


    该产品可以与其他常见的表面贴装器件兼容,便于集成到各种电路板设计中。厂商提供详尽的技术支持和维护信息,确保用户能够顺利进行产品的使用和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确连接栅极驱动信号?
    - 解决方案:确保栅极驱动信号电压不超过±8V,避免过压损坏。

    - 问题:产品工作温度范围是多少?
    - 解决方案:正常工作温度范围为-55°C至150°C,存储温度范围相同。

    7. 总结和推荐


    总体而言,P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的开关器件,特别适合于负载开关和电池切换应用。其低导通电阻和高效率使其在多种电子设备中表现出色。强烈推荐在相关应用场景中使用该产品,厂商的技术支持也将确保用户的顺利使用。

J419-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 13A
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@4.5V,8.4mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 12V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J419-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J419-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J419-VB J419-VB数据手册

J419-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
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500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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