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KIA20N50H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: KIA20N50H-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KIA20N50H-VB

KIA20N50H-VB概述

    # KIA20N50H 500V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    KIA20N50H 是一款高性能的 500V N-Channel 超级结 MOSFET,主要应用于计算领域(如 PC 银色机箱 / ATX 电源供应)。这款 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和高开关频率能力等特点,能够有效降低系统功耗,提升整体性能。

    2. 技术参数


    以下是 KIA20N50H 的主要技术参数及规格:
    - 漏源电压 (VDS):最大值 500V
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大值为 0.192Ω(在 25°C,VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 86nC
    - 栅源电荷 (Qgs):9nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):16nC
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):186mJ
    - 最大功率耗散 (PD):206W
    - 绝对最高额定值:
    - 漏源电压 (VDS):500V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏电流 (ID):18A (TC = 25°C),12A (TC = 100°C)
    - 绝对最高温度:
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    KIA20N50H 的主要特点如下:
    - 低 FOM (Ron x Qg):该参数反映了 MOSFET 在开关过程中的能量损耗,较低的 FOM 表明更低的能量损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):低输入电容有助于降低驱动功率损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷 (Qg):较低的栅极电荷有助于加快开关速度,减少热耗。
    - 雪崩能量 (UIS):具有良好的抗雪崩能力,确保稳定的工作条件。
    这些特点使得 KIA20N50H 在电源管理、驱动电路等领域具有显著的优势,能够满足高性能应用的需求。

    4. 应用案例和使用建议


    KIA20N50H 广泛应用于计算领域的电源系统中,如 PC 银色机箱和 ATX 电源供应。例如,在 ATX 电源供应中,它能高效处理高频率、大电流的负载变化,保证系统稳定运行。
    使用建议
    - 散热设计:由于 MOSFET 在高功率工作时会产生大量热量,需要采取有效的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 栅极驱动电路:为了优化开关性能,建议使用合适的栅极驱动电路,确保栅极信号稳定,减少开关损失。

    5. 兼容性和支持


    KIA20N50H 具有较好的通用性和兼容性,可以与其他常见的电子元器件和设备无缝集成。制造商提供了全面的技术支持和服务,包括详尽的产品文档、样品测试和应用指南。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:过热保护
    解决方案:确保良好的散热设计,并使用热敏电阻监控温度。
    问题2:驱动不稳定
    解决方案:检查栅极驱动电路,确保驱动电压和电流符合要求。
    问题3:输出不稳定
    解决方案:检查外部电路和负载连接,确保所有接点良好接触。

    7. 总结和推荐


    KIA20N50H 作为一款高性能的 500V N-Channel 超级结 MOSFET,具备优秀的导通特性和开关特性,适用于多种高可靠性应用。其优异的散热能力和稳定性使其在计算、工业控制等领域具有广阔的应用前景。因此,我们强烈推荐使用此产品。
    通过以上详细的技术参数和应用实例分析,我们可以看到 KIA20N50H 不仅具备出色的性能指标,而且在各种应用场景中都能表现出卓越的表现。如果您正在寻找一款高性能、可靠的 MOSFET,KIA20N50H 绝对是一个值得考虑的选择。

KIA20N50H-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 550V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

KIA20N50H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KIA20N50H-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KIA20N50H-VB KIA20N50H-VB数据手册

KIA20N50H-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 4.4697
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