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K5A53D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K5A53D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5A53D-VB

K5A53D-VB概述

    # K5A53D Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K5A53D 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET)。这种器件因其低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS)而广受欢迎,适用于多种高压应用场合。具体应用包括服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯管)、以及各种工业用途。

    技术参数


    静态特性
    - 击穿电压(VDS):650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.5 - 5V
    - 零栅源电压漏电流(IDSS):≤1μA
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值为1Ω(VGS=10V, ID=4A)
    - 门极电荷(Qg):最大值为32nC
    - 输入电容(Ciss):未给出
    - 输出电容(Coss):未给出
    - 反向传输电容(Crss):未给出
    动态特性
    - 最大脉冲电流(IDM):650V时不超过1A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97mJ
    - 最大安全操作区(SOA):受限于RDS(on)
    - 门极驱动电阻(Rg):典型值3.5Ω
    热性能
    - 最大热阻(RthJA):63°C/W
    - 极限温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    K5A53D 的主要特点是其卓越的低导通电阻(RDS(on))和低栅源电荷(Qg),使得其在切换过程中具有更低的损耗,从而提高效率。它还具有低输入电容(Ciss)和快速恢复时间(trr),有助于减少栅极驱动所需的能量,同时提高系统的整体性能。此外,这款MOSFET具备优秀的热稳定性,能够承受较高的连续工作温度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K5A53D 在服务器和电信电源的应用中表现优异。例如,在这些应用中,它可以作为电源转换电路中的主控元件,实现高效的能量转换。此外,它也适用于工业控制和照明系统,特别是高精度要求的高压LED驱动器。
    使用建议
    - 在设计开关模式电源时,合理选择门极驱动电阻以减少损耗。
    - 考虑散热问题,避免长期工作在接近最大温升的状态下。
    - 在高频应用中,选择适当的外部电容以减小寄生效应。

    兼容性和支持


    K5A53D 设计时考虑了广泛的兼容性需求,可以轻松集成到现有的系统中。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括常见问题解答和技术论坛,帮助客户解决实际应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    问题一:发热过高导致设备无法正常运行
    解决方法:增加散热措施,如增加散热片或风扇。
    问题二:设备损坏后频繁更换
    解决方法:检查电源电压是否稳定,并确保电路中没有短路现象。
    问题三:驱动波形失真
    解决方法:检查门极驱动电路,确保信号正确无误。

    总结和推荐


    总体来看,K5A53D MOSFET是一款功能强大且可靠的器件,特别适合应用于高效率和高可靠性的电源管理系统中。其卓越的性能和广泛的应用场景使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要高压、大电流应用的设计师来说,这是一款值得推荐的产品。

K5A53D-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K5A53D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5A53D-VB数据手册

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K5A53D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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