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UTT18P10-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: UTT18P10-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT18P10-VB

UTT18P10-VB概述


    产品简介


    P-Channel 100V MOSFET(型号:UTT18P10) 是一款适用于多种应用的高性能电子元器件。该产品采用TrenchFET® 技术,具有低导通电阻和高可靠性。主要功能包括作为电源开关和直流-直流转换器的核心组件。由于其卓越的性能,它广泛应用于各种电子产品,如电源管理和通信系统。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 100 V
    - 连续漏电流(TJ=150°C): 16 A
    - 脉冲漏电流(IDM): 50 A
    - 雪崩电流(IAS): 18 A
    - 单次雪崩能量(EAS): 16.2 mJ
    - 最大功耗(PD): 32.1 W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 阈值电压(VGS(th)): -1 V 至 -2.5 V
    - 零栅压漏电流(IDSS): 最大为 -50 μA
    - 导通阻抗(RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V 时,为 0.100 Ω
    - 在 VGS = -4.5 V 时,为 0.120 Ω
    - 门电荷(Qg):
    - 在 VDS = -50 V,VGS = -10 V,ID = -3.6 A 时,为 23.2 nC
    - 在 VDS = -50 V,VGS = -4.5 V,ID = -3.6 A 时,为 11.7 nC

    产品特点和优势


    - 环保材料:根据 IEC 61249-2-21 标准,该产品不含卤素。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品的一致性和稳定性。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令,适合全球市场。
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,导通电阻低,适用于高功率应用。

    应用案例和使用建议


    - 电源开关:可用于电池管理系统的开关电路,减少能量损耗。
    - 直流-直流转换器:适用于工业自动化设备中的直流-直流转换电路,提高能效。
    使用建议:
    - 确保安装在散热良好的环境中,以避免过热导致损坏。
    - 使用适当的门极驱动电路,以避免电压过高造成的栅极击穿。
    - 根据应用场景选择合适的电压和电流等级,避免超负荷运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与主流 PCB 设计和组装工艺兼容,便于集成到现有系统中。
    - 厂商支持:台湾VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:MOSFET 过热损坏。
    - 解决方案:确保使用足够的散热片,并且在设计中考虑到散热问题。
    - 问题二:导通电阻异常高。
    - 解决方案:检查门极电压是否在规定范围内,确保门极驱动电路正常。
    - 问题三:栅极击穿。
    - 解决方案:增加栅极保护电路,避免电压过高。

    总结和推荐


    UTT18P10 P-Channel 100V MOSFET 是一款性能优异的电子元器件,适用于多种高功率应用。其高可靠性、环保特性和广泛的适用范围使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要高效、可靠电源管理和直流-直流转换的应用,我们强烈推荐使用这款产品。

UTT18P10-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 15A
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@10V,144mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT18P10-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT18P10-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT18P10-VB UTT18P10-VB数据手册

UTT18P10-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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