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QM03N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: QM03N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM03N65F-VB

QM03N65F-VB概述


    产品简介


    QM03N65F 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和大电流的应用场合。其核心特征是具备低栅极电荷 Qg,简化了驱动需求,同时还具备卓越的栅极、雪崩和动态 dV/dt 抗压能力。它符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适用于多种电力转换和控制领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | ±30 | V |
    | 漏极-源极电压 | 650 | V |
    | 连续漏极电流 | 3.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | 18 | A |
    | 最大功率耗散 | 30 | W |
    | 击穿电压 (VDS) | 650 | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 2.5 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 48 | nC |
    | 门源电荷 (Qgs) | 12 | nC |
    | 门漏电荷 (Qgd) | 19 | nC |
    | 最高工作温度 | 150 | °C |
    | 最大雪崩能量 | 325 | mJ |
    | 最高反向恢复电压 | 2.8 | V/ns |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:简化驱动要求,降低了功耗。
    2. 高可靠性和抗压能力:改进后的栅极、雪崩和动态 dV/dt 抗压能力使其在极端环境下仍能稳定运行。
    3. 全面电气参数化:完全表征的电容和雪崩电压电流,确保精确性能。
    4. 符合环保标准:完全符合 RoHS 指令,环保且可靠。

    应用案例和使用建议


    QM03N65F 主要应用于工业自动化、电机控制、电源转换等领域。例如,在一个典型的逆变器设计中,QM03N65F 可用于降低损耗并提高系统效率。使用时应注意:
    - 确保驱动电路满足器件的低栅极电荷要求。
    - 设计散热系统以保证工作温度不超过 150°C。
    - 避免在高压大电流条件下长时间连续运行。

    兼容性和支持


    QM03N65F 支持标准 TO-220 全包封装,易于集成到现有的电路板设计中。制造商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助解决实际应用中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致器件失效
    - 解决方法:改善散热设计,如增加散热片或风扇。
    2. 问题:驱动信号不稳定导致工作不正常
    - 解决方法:使用专用驱动芯片,确保驱动信号的稳定性和可靠性。
    3. 问题:反向恢复电压过高导致损坏
    - 解决方法:增加缓冲电路,减小 dV/dt 的冲击。

    总结和推荐


    QM03N65F 在高温、高电压和高电流的应用中表现出色,具备优秀的耐久性和可靠的性能。建议在需要高性能 MOSFET 的应用中优先考虑此产品。无论是从性能还是可靠性角度来看,它都是一个非常值得信赖的选择。

QM03N65F-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM03N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM03N65F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM03N65F-VB QM03N65F-VB数据手册

QM03N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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