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K1602-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,850V,5A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F\n在LED照明驱动器中,需要高性能的功率开关器件来控制电流和亮度,可用作开关元件,提供可靠的驱动功能。
供应商型号: K1602-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1602-VB

K1602-VB概述

    K1602-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1602-VB 是一款高压N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子电路中的开关应用。该产品具有快速开关、重复雪崩电流和电压容限高等特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、LED照明等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):850V
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值为1.5Ω,最高不超过3.9Ω(在VGS = 10V时)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0V至4.0V
    - 连续漏极电流 (ID):在TJ = 25°C时为25A,在TJ = 100°C时降为6.25A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):50A(脉冲宽度限制在1µs内,占空比限制在0.1%以内)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):770mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):7.8A
    - 重复雪崩能量 (EAR):19mJ
    - 最大功率耗散 (PD):在TJ = 25°C时为150W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 封装形式:TO-220 Fullpak

    产品特点和优势


    1. 动态dV/dt额定值:高dV/dt能力意味着可以处理高速变化的电压信号,适合高频开关应用。
    2. 重复雪崩额定值:能够承受多次雪崩事件,提高耐用性和可靠性。
    3. 隔离开孔设计:方便散热并确保良好的电气隔离。
    4. 易于并联:简化了多器件并联时的驱动需求。
    5. 简单的驱动要求:无需复杂的驱动电路,降低了系统复杂度。
    6. 符合RoHS标准:环保无铅设计,满足国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:K1602-VB MOSFET 可以用于高压电源转换器、DC-DC转换器和电池充电器中。这些应用场景通常需要较高的耐压能力和快速的开关速度。
    使用建议:为了充分发挥K1602-VB的性能,建议选择合适的栅极驱动器,并在电路布局时注意减少寄生电感的影响。特别是在高频应用中,应避免不必要的走线长度以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    K1602-VB MOSFET 具有标准化的TO-220 Fullpak封装,兼容大多数标准栅极驱动器。厂商提供详细的技术支持文档和在线服务,帮助客户解决设计和应用中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:无法达到额定电流
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保MOSFET在工作时不会过热。适当增加散热片或改善散热条件。

    2. 问题:启动时出现异常波动
    - 解决方案:确保栅极驱动信号稳定且无噪声干扰。检查电路板上的接地设计,避免接地环路产生干扰。

    3. 问题:开关频率不达标
    - 解决方案:检查电路设计,特别是栅极电阻和驱动器的选择。调整这些参数以实现所需的开关频率。

    总结和推荐


    K1602-VB MOSFET 以其高性能、可靠性高和简单易用的特点,非常适合高压开关应用。经过对各项技术指标和使用案例的分析,我们强烈推荐这款产品给需要高性能MOSFET的应用场合。无论是电源管理还是电机控制,K1602-VB 都能提供出色的性能表现。

K1602-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 10V
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 850V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1602-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1602-VB数据手册

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K1602-VB封装设计

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