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NTB18N06LT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: NTB18N06LT4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB18N06LT4G-VB

NTB18N06LT4G-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道60V MOSFET,型号为NTB18N06LT4G。该产品采用表面贴装技术(Surface Mount),符合RoHS(Restriction of Hazardous Substances)指令和无卤标准IEC 61249-2-21。NTB18N06LT4G主要用于低电压和高电流应用场合,如开关电源、电机驱动和汽车电子等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 60 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 3.0 | V |
    | 零门源漏极电流 | IDSS 250 | μA |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) 0.023 Ω |
    | 门源电荷 | Qgs 40 nC |
    | 前向传输电导 | gfs | 23 S |
    | 输入电容 | Ciss 3000 pF |
    | 开启延时时间 | td(on) 17 ns |
    | 关闭延时时间 | td(off) 42 ns |

    产品特点和优势


    1. 环保设计:无卤素、符合RoHS指令,适用于绿色电子产品。
    2. 快速切换:逻辑级门驱动,支持快速开关操作。
    3. 可靠性高:最大功率耗散达150W,适用于严苛的工作环境。
    4. 高稳定性:具有较高的动态dv/dt等级,确保稳定的信号传输。
    5. 兼容性好:适合多种应用场合,包括汽车电子和工业控制。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:NTB18N06LT4G在开关电源中作为主控MOSFET,有效减少损耗,提高转换效率。
    - 电机驱动:应用于电动工具和家用电器中,提供高效的电流控制。
    - 汽车电子:在汽车电子系统中作为电池管理和动力控制的关键组件。
    使用建议
    - 确保PCB布局合理,减少寄生电感。
    - 使用适当的散热措施,保证器件在高温下的稳定工作。
    - 连接电路时要确保门极驱动信号稳定,避免高频噪声干扰。

    兼容性和支持


    NTB18N06LT4G采用D2PAK封装,与市面上主流的表面贴装设备兼容。公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和技术支持热线(400-655-8788),以确保用户能够顺利完成安装和调试工作。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极驱动电路,确保足够的门极充电 |
    | 功率耗散过高 | 加强散热措施,改善PCB布局 |
    | 门源泄漏电流大 | 检查焊接质量,确保焊点可靠 |

    总结和推荐


    NTB18N06LT4G作为一款高性能的N沟道MOSFET,在可靠性、开关速度和耐温性能方面表现出色,适用于多种电子应用场合。鉴于其环保设计和广泛的应用范围,强烈推荐给对高效能、低功耗要求高的项目使用。

NTB18N06LT4G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTB18N06LT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB18N06LT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB18N06LT4G-VB NTB18N06LT4G-VB数据手册

NTB18N06LT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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