处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK2788-VB

2SK2788-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: 2SK2788-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2788-VB

2SK2788-VB概述


    产品简介


    产品名称: 2SK2788 N-Channel 60-V MOSFET
    产品类型: N沟道功率MOSFET
    主要功能:
    - TrenchFET®技术: 提供低导通电阻和高电流能力。
    - 无卤素设计: 符合环保要求。
    - 广泛的应用领域: 主要用于便携式设备中的负载开关。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 60V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C时为29nC
    - TC = 70°C时为4A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 1.6W(TA = 70°C)
    - 反向恢复时间 (trr): 20~40ns
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 0V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.5V(ID = 250μA)
    - 栅漏泄漏电流 (IGSS): ±100nA(VDS = 0V, VGS = ±12V)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 120pF(VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 100pF
    - 反向传输电容 (Crss): 100pF
    - 热阻参数:
    - 最大结壳热阻 (RthJA): 40°C/W(最大值)
    - 最大结脚热阻 (RthJF): 15°C/W

    产品特点和优势


    - 无卤素设计: 符合环保标准,适用于对环境保护有严格要求的应用。
    - TrenchFET®技术: 采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和高电流能力。
    - 广泛的温度适应范围: -55°C到150°C的工作温度范围,适合多种严苛环境。
    - 高可靠性: 绝对最大额定值和静态、动态参数确保了产品的高可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于便携式设备中的负载开关,如手机充电器、电源管理模块等。
    - 使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热条件良好以避免过热。
    - 使用时需注意温度范围限制,避免超出绝对最大额定值。
    - 在焊接过程中,避免使用烙铁焊接无铅封装,建议采用回流焊。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于SOT89封装,可以方便地与其他主流电子元器件集成。
    - 支持: 厂商提供详细的使用手册和技术支持服务,确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 焊接过程中容易损坏?
    - 解决方法: 推荐使用回流焊而非烙铁焊接,特别是在无铅封装的情况下。
    - 问题: 无法保证底部焊点形成良好的焊点?
    - 解决方法: 由于芯片引脚端是裸露铜(未镀),因此不必过分担心焊点问题,重要的是确保整体焊接质量。

    总结和推荐


    2SK2788是一款具有多项技术优势的N沟道功率MOSFET,适合便携式设备中的负载开关应用。其无卤素设计和TrenchFET®技术使其成为环保和高性能应用的理想选择。产品具备广泛的温度适应范围和高可靠性,适用于多种复杂应用场景。虽然其焊接过程需要小心处理,但总体上,该产品在便携式设备中的表现优秀,强烈推荐使用。
    推荐指数: ★★★★★

2SK2788-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,88mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2SK2788-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2788-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2788-VB 2SK2788-VB数据手册

2SK2788-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
库存: 400000
起订量: 35 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 30.61
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336