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KHB4D0N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: KHB4D0N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB4D0N65F-VB

KHB4D0N65F-VB概述


    产品简介


    KHB4D0N65F 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET,广泛应用于各种电力转换系统和电机驱动系统中。该器件采用 TO-220 全封装形式,具备低导通电阻(RDS(on))和高可靠性等特点,适用于各类高压功率控制应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 2.5 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 48 | nC |
    | 栅极-源极电荷 (Qgs) | 12 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 (Qgd) | 19 | nC |
    | 持续漏极电流 (ID) | 3.8 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 325 | mJ |
    | 雪崩击穿电压 (BVDS) | 650 | V |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg) | -55 至 +150 | °C |
    | 最大耗散功率 (PD) | 30 | W |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):较低的栅极电荷使得驱动要求简单,减少了系统的复杂度。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受力:提高了器件的鲁棒性,适合在严苛的工业环境中使用。
    3. 全面的电容和雪崩电压、电流特性:确保了产品的稳定性和可靠性。
    4. 符合 RoHS 指令:环保设计符合欧洲的环保标准,便于全球销售。

    应用案例和使用建议


    KHB4D0N65F 广泛应用于电机驱动、电源转换和逆变器等领域。例如,在电机驱动系统中,KHB4D0N65F 可以作为主开关,控制电机的运行和制动。为了获得最佳性能,建议用户根据具体的应用需求调整驱动电路的设计,如降低寄生电感、使用接地平面等。

    兼容性和支持


    KHB4D0N65F 与现有的电源管理系统高度兼容,能够无缝集成到现有设备中。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速解决问题并确保产品的正常运行。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极驱动电阻?
    - 答:通常,栅极驱动电阻 (RG) 会影响器件的开关速度。选择合适值的 RG 可以平衡开关速度和功耗。建议通过实验来确定最佳值。
    2. 问:如何避免过热损坏?
    - 答:KHB4D0N65F 设计有严格的热阻规范。合理布局散热路径,确保器件在安全温度范围内工作可以有效防止过热。

    总结和推荐


    KHB4D0N65F 具备出色的性能和高可靠性,适用于各种高压功率控制应用。结合其低栅极电荷和增强的耐受力,KHB4D0N65F 在市场上的竞争力非常强。我们强烈推荐使用 KHB4D0N65F 作为高压功率控制的首选器件。如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

KHB4D0N65F-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB4D0N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB4D0N65F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB4D0N65F-VB KHB4D0N65F-VB数据手册

KHB4D0N65F-VB封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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