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4501GM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: 4501GM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4501GM-VB

4501GM-VB概述

    电子元器件产品技术手册解析

    产品简介


    本技术手册涵盖了N-Channel(N沟道)和P-Channel(P沟道)的30V(漏源电压)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的MOSFET是用于移动电源和电机驱动控制的关键电子元件。N-Channel MOSFET通常用于电路的开关操作,而P-Channel MOSFET则在类似应用中提供了极性反向的灵活性。这两种器件都适用于需要高效率和快速响应时间的应用场景。

    技术参数


    以下是N-Channel和P-Channel MOSFET的主要技术参数:
    - 电压范围: 漏源电压 \( V{DS} \) 为30V
    - 最大电流: 持续漏极电流 \( I{D} \) 在 \( T{J} = 150 ^\circ C \) 时为8A(N-Channel)和6.8A(P-Channel)
    - 电阻: 在 \( V{GS} = 10V \) 和 \( I{D} = 6.8A \) 条件下,N-Channel的导通电阻 \( R{DS(on)} \) 为0.018Ω;P-Channel为0.040Ω
    - 充电电容: 输入电容 \( C{iss} \) 在 \( V{DS} = 20V \) 和 \( V{GS} = 0V \) 下为510pF(N-Channel);输出电容 \( C{oss} \) 为95pF
    - 热阻: 最大结点到环境温度的热阻 \( R{thJA} \) 为50°C/W(N-Channel),47°C/W(P-Channel)

    产品特点和优势


    这款N-Channel和P-Channel MOSFET具有以下特点和优势:
    - 高性能TrenchFET技术: 提供低导通电阻和高开关速度,确保高效能。
    - 高温稳定性: 工作温度范围广泛,最高可达150°C,适用于严苛环境。
    - 全面测试: 100% Rg和UIS测试,确保每个产品的质量和可靠性。
    - 环保材料: 符合RoHS和无卤素标准,环保可靠。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET被广泛应用于移动电源和电机驱动控制等领域。例如,在移动电源设计中,这些器件能够有效管理电池的充放电过程,提高系统的整体效率和安全性。对于电机驱动,它们可以用于精确控制电机的速度和方向,确保稳定和可靠的运行。
    使用建议:
    - 确保正确安装散热装置以防止过热。
    - 根据实际应用调整栅极电阻,优化开关速度和效率。
    - 定期检查并维护以保证长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品与常见的PCB布局和焊接工艺兼容。制造商提供详尽的技术支持文档和在线资源,包括详细的设计指南和常见问题解答。如有任何疑问或技术支持需求,用户可随时联系制造商的服务热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中发热过高怎么办?
    - A: 优化散热设计,如增加散热片或使用外部风扇。同时,减少脉冲宽度以降低平均功率损耗。

    - Q: 无法达到预期的开关速度?
    - A: 检查栅极电阻值,适当减小以提高开关速度。同时,确保信号完整性,避免引线过长导致的干扰。

    总结和推荐


    这款N-Channel和P-Channel MOSFET以其出色的性能、广泛的应用范围和高度的可靠性在市场上表现出色。它不仅能满足各种复杂应用的需求,还具有良好的兼容性和广泛的行业支持。综上所述,强烈推荐在涉及移动电源和电机驱动的项目中选用此款MOSFET。

4501GM-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
Id-连续漏极电流 9A,6A
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4501GM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4501GM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4501GM-VB 4501GM-VB数据手册

4501GM-VB封装设计

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